1.本发明涉及发光材料技术领域，具体涉及一种四苯基乙烯衍生物以及包含其的有机电致发光器件。
背景技术：
2.一个有机电致发光器件包括阳极、阴极、以及阳极和阴极之间的发光层。此外，还存在具备堆叠层结构的有机电致发光器件，包括诸如空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等有机层。
3.当向有机电致发光器件施加电压时，空穴从阳极注入，电子从阴极注入，在发光层中，注入的空穴和电子组合形成激子，激子由激发态回到基态的过程中，能量以光的形式释放出来。
4.通过在发光层中使用不同的发光材料，可以实现多种颜色的发光。因此，有机电致发光器件被大量应用于显示方面。其中，对三基色红、绿、蓝的材料的研究最为活跃，通过对有机发光材料的改良研究，有机电致发光器件的性能正在慢慢地提升。
5.现有技术中，专利文献1(jp 161218/2019)公开了一种技术，其中蒽基化合物和芘基化合物被用作有机电致发光元件的发光材料，可以实现良好的载流子平衡，从而提高器件效率和器件寿命。
6.另外，为了提高亮度效率和寿命，在专利文献2(ep 3150579b1)中公开了一种用于发光器件的化合物，该化合物具有荧蒽骨架和含电子受体n原子的芳杂环。
7.在专利文献3(us 2019/0013478a1)中，公开了一种具备双极性的p-共轭硼化合物，该化合物作为有机电致发光器件中的荧光化合物，可以符合各种能级，可用于制备发光效率高、高温下可稳定存储的有机电致发光器件。
8.尽管器件的发光性能正在不断提升，但是，高性能的器件对材料要求越来越高，有机电致发光领域仍需要开发能够进一步提高器件性能的新材料。
技术实现要素：
9.本发明的目的在于提供一种四苯基乙烯衍生物以及包含其的有机电致发光器件，本发明的四苯基乙烯衍生物用作有机电致发光器件的发光层具有高发光效率、低开启电压、高色纯度。
10.为实现上述目的，在本技术的第一方面，本技术提供了一种四苯基乙烯衍生物，结构通式如式(1)所示：
[0011][0012]
式(1)中，r1～r4各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为3～30的甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0013]
其中，ar1选自如下基团：
[0014][0015]
其中，ar2和ar3各自独立地选自取代或未取代的具有6～30个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～30个碳原子的杂芳基；
[0016]
m和n各自独立地为0或1。
[0017]
式(2-1)中，r
11
～r
12
各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0018]
其中，ar
11
和ar
12
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；和/或
[0019]
式(2-2)中，r
21
～r
22
各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0020]
其中，ar
21
和ar
22
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、
取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；和/或
[0021]
式(2-3)中，r
31
～r
32
各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0022]
其中，ar
31
和ar
32
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；和/或
[0023]
式(2-4)中，r
41
独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0024]
其中，ar
41
和ar
42
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；和/或
[0025]
式(2-5)中，r
51
独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0026]
其中，ar
51
和ar
52
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；
[0027]
x1选自o原子、s原子、nr'或cr'2，r'选自氢原子、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～30的环烷基、取代或未取代的具有6～30个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～30个碳原子的杂芳基；和/或
[0028]
式(2-6)中，r
61
～r
62
各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0029]
其中，ar
61
和ar
62
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；
[0030]
x2选自o原子、s原子、nr'或cr'2，r'氢原子、选自取代或未取代的碳原子数为1～30的烷基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～30的环烷基、取代或未取代的具有6～30个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～30个碳原子的杂芳基；和/或
[0031]
式(2-7)中，r
71
～r
72
各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0032]
其中，ar
71
和ar
72
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；
[0033]
x3选自o原子、s原子、nr'或cr'2，r'选自氢原子、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～30的环烷基、取代或未取代的具有6～30
个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～30个碳原子的杂芳基；和/或
[0034]
式(2-8)中，ar
81
和ar
82
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基。
[0035]
作为本发明的优选实施方案，式(1)中，
[0036]
所述卤素原子选自氟、氯和溴；
[0037]
所述碳原子数为1～20的烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、s-丁基、异丁基、t-丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-六甲基己基、正庚基、异庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基和十八烷基；
[0038]
所述碳原子数为2～20的烯基选自乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1,3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、1,1-二甲基丙烯基、2-甲基丙烯基和1,2-二甲基丙烯基；
[0039]
所述碳原子数为2～20的炔基选自乙炔基、丙炔基和3-戊炔基；
[0040]
所述碳原子数为3～10的环烷基选自环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4-甲基环己基、环辛基、金刚烷基和降冰片基；
[0041]
所述碳原子数为3～30的甲硅烷基选自三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二甲基丙基甲硅烷基、二甲基丁基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅烷基和三异丙基甲硅烷基；
[0042]
所述碳原子数为1～30的烷氧基选自甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异己氧基、2-丁氧基、叔丁氧基、戊氧基和己氧基；
[0043]
所述具有6～30个环碳原子的芳基选自苯基、联苯基、三联苯基、苯并菲基、萘基、蒽基、非那烯基、菲基、芴基、芘基、屈基、螺芴基、苝基和薁基；
[0044]
所述具有5～30个碳原子的杂芳基选自吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、吲哚嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、咪唑基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹恶啉基、苯并咪唑基、二苯并呋喃基、咔唑基和菲咯啉基。
[0045]
作为本发明的优选实施方案，式(2)中，
[0046]
所述卤素原子选自氟、氯和溴；
[0047]
所述碳原子数为1～20的烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、s-丁基、异丁基、t-丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-六甲基己基、正庚基、异庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基和十八烷基；
[0048]
所述碳原子数为2～20的烯基选自乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1,3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、1,1-二甲基丙烯基、2-甲基丙烯基和1,2-二甲基丙烯基；
[0049]
所述碳原子数为2～20的炔基选自乙炔基、丙炔基和3-戊炔基；
[0050]
所述碳原子数为3～10的环烷基选自环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4-甲基环己
基、环辛基、金刚烷基和降冰片基；
[0051]
所述碳原子数为3～30的甲硅烷基选自三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二甲基丙基甲硅烷基、二甲基丁基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅烷基和三异丙基甲硅烷基；
[0052]
所述碳原子数为1～30的烷氧基选自甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异己氧基、2-丁氧基、叔丁氧基、戊氧基和己氧基；
[0053]
所述具有6～18个环碳原子的芳基选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基和9,9-二甲基芴基；
[0054]
所述具有5～18个碳原子的杂芳基选自呋喃、噻吩、吡啶、喹啉、异喹啉、嘧啶、喹唑啉、吡咯、吲哚、吡嗪、喹喔啉、三嗪、苯并呋喃基、苯并噻吩基、咔唑基和菲咯啉基。
[0055]
作为本发明的优选实施方案，式(1)、式(2)中的取代基各自独立的选自卤素原子、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为2～10的烯基、碳原子数为2～10的炔基、形成环的碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为3～10的甲硅烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、具有6～20个环碳原子的芳基、具有5～20个碳原子的杂芳基。
[0056]
作为本发明的优选实施方案，所述卤素原子选自氟、氯和溴；
[0057]
所述碳原子数为1～10的烷基选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基；
[0058]
所述碳原子数为2～10的烯基选自乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1,3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、1-甲基烯丙基、1,1-二甲基烯丙基、2-甲基烯丙基、1,2-二甲基烯丙基；
[0059]
所述碳原子数为2～10的炔基选自乙炔基、丙炔基、3-戊炔基；
[0060]
所述碳原子数为3～10的环烷基选自环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4-甲基环己基、金刚烷基、降冰片基；
[0061]
所述碳原子数为3～10的甲硅烷基选自三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基；
[0062]
所述碳原子数为1～10的烷氧基选自甲氧基、乙氧基；
[0063]
所述具有6～20个环碳原子的芳基选自苯基、1-萘基、2-萘基、3-萘基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、并四苯基、基、苯并[c]菲基、苯并[g]基、苯并菲基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、三联苯基、荧蒽基；
[0064]
所述具有5～20个碳原子的杂芳基选自吡咯基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、咪唑基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基、4-二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、9-咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯琳基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、噻吩基、苯并噻吩基。
[0065]
在本技术的第二方面，本技术提供了一种有机电致发光器件，包含上述所述的四苯基乙烯衍生物。
[0066]
作为本发明的优选实施方案，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极、阳极与阴极
之间的有机层，其中至少一个有机层是发光层，所述发光层为四苯基乙烯衍生物或含有四苯基乙烯衍生物的混合物。
[0067]
作为本发明的优选实施方案，所述有机电致发光器件是荧光或磷光的单色发光器件、荧光-磷光混合的白光发光器件、具有单个发光单元的简单型发光器件、具有两个或多个发光单元的串联型发光器件中的任意一种。
[0068]
作为本发明的优选实施方案，所述有机电致发光器件应用于平面显示器件、异形显示器件、曲面显示器件、柔性显示器件和照明器件。
[0069]
本发明的有益效果在于：(1)本发明的四苯基乙烯衍生物用作有机电致发光器件的发光层具有高发光效率、低开启电压、高色纯度。
[0070]
(2)本发明的四苯基乙烯衍生物制备方法简单，原料易得，适用于大批量生产。
附图说明
[0071]
图1为本发明提供的一种有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0072]
为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0073]
本技术中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
[0074]
本技术中，涉及到数值区间，如无特别说明，上述数值区间内视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。
[0075]
本技术所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
[0076]
本技术实施例提供了一种四苯基乙烯衍生物，结构通式如式(1)所示：
[0077][0078]
式(1)中，r1～r4各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代
的碳原子数为3～30的甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0079]
其中，ar1选自如下基团：
[0080][0081]
其中，ar2和ar3各自独立地选自取代或未取代的具有6～30个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～30个碳原子的杂芳基；
[0082]
m和n各自独立地为0或1。
[0083]
式(2-1)中，r
11
～r
12
各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0084]
其中，ar
11
和ar
12
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；和/或
[0085]
式(2-2)中，r
21
～r
22
各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0086]
其中，ar
21
和ar
22
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；和/或
[0087]
式(2-3)中，r
31
～r
32
各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0088]
其中，ar
31
和ar
32
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；和/或
[0089]
式(2-4)中，r
41
独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳
原子数为1～30的烷氧基；
[0090]
其中，ar
41
和ar
42
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；和/或
[0091]
式(2-5)中，r
51
独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0092]
其中，ar
51
和ar
52
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；
[0093]
x1选自o原子、s原子、nr'或cr'2，r'选自氢原子、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～30的环烷基、取代或未取代的具有6～30个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～30个碳原子的杂芳基；和/或
[0094]
式(2-6)中，r
61
～r
62
各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0095]
其中，ar
61
和ar
62
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；
[0096]
x2选自o原子、s原子、nr'或cr'2，r'选自氢原子、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～30的环烷基、取代或未取代的具有6～30个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～30个碳原子的杂芳基；和/或
[0097]
式(2-7)中，r
71
～r
72
各自独立的选自氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；
[0098]
其中，ar
71
和ar
72
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基；
[0099]
x3选自o原子、s原子、nr'或cr'2，r'选自氢原子、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～30的环烷基、取代或未取代的具有6～30个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～30个碳原子的杂芳基；和/或
[0100]
式(2-8)中，ar
81
和ar
82
各自独立地选自取代或未取代的具有6～18个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5～18个碳原子的杂芳基。
[0101]
式(1)中，所述卤素原子选自氟、氯和溴；
[0102]
所述碳原子数为1～20的烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、s-丁基、异丁基、t-丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-六甲基己基、正庚基、异庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基和十八烷基；
[0103]
所述碳原子数为2～20的烯基选自乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯
基、1,3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、1,1-二甲基丙烯基、2-甲基丙烯基和1,2-二甲基丙烯基；
[0104]
所述碳原子数为2～20的炔基选自乙炔基、丙炔基和3-戊炔基；
[0105]
所述碳原子数为3～10的环烷基选自环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4-甲基环己基、环辛基、金刚烷基和降冰片基；
[0106]
所述碳原子数为3～30的甲硅烷基选自三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二甲基丙基甲硅烷基、二甲基丁基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅烷基和三异丙基甲硅烷基；
[0107]
所述碳原子数为1～30的烷氧基选自甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异己氧基、2-丁氧基、叔丁氧基、戊氧基和己氧基；
[0108]
所述具有6～30个环碳原子的芳基选自苯基、联苯基、三联苯基、苯并菲基、萘基、蒽基、非那烯基、菲基、芴基、芘基、屈基、螺芴基、苝基和薁基；
[0109]
所述具有5～30个碳原子的杂芳基选自吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、吲哚嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、咪唑基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹恶啉基、苯并咪唑基、二苯并呋喃基、咔唑基和菲咯啉基。
[0110]
在其中一个实施方式中，式(2)中，所述卤素原子选自氟、氯和溴；
[0111]
所述碳原子数为1～20的烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、s-丁基、异丁基、t-丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-六甲基己基、正庚基、异庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基和十八烷基；
[0112]
所述碳原子数为2～20的烯基选自乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1,3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、1,1-二甲基丙烯基、2-甲基丙烯基和1,2-二甲基丙烯基；
[0113]
所述碳原子数为2～20的炔基选自乙炔基、丙炔基和3-戊炔基；
[0114]
所述碳原子数为3～10的环烷基选自环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4-甲基环己基、环辛基、金刚烷基和降冰片基；
[0115]
所述碳原子数为3～30的甲硅烷基选自三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二甲基丙基甲硅烷基、二甲基丁基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅烷基和三异丙基甲硅烷基；
[0116]
所述碳原子数为1～30的烷氧基选自甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异己氧基、2-丁氧基、叔丁氧基、戊氧基和己氧基；
[0117]
所述具有6～18个环碳原子的芳基选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基和9,9-二甲基芴基；
[0118]
所述具有5～18个碳原子的杂芳基选自呋喃、噻吩、吡啶、喹啉、异喹啉、嘧啶、喹唑啉、吡咯、吲哚、吡嗪、喹喔啉、三嗪、苯并呋喃基、苯并噻吩基、咔唑基和菲咯啉基。
[0119]
在其中一个优选的实施方式中，r1和r3独立的选自卤素原子、氰基、取代或未取代
的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为2～20的烯基、取代或未取代的碳原子数为2～20的炔基、取代或未取代的形成环的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为3～30的甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为1～30的烷氧基；r2和r4为氢原子。
[0120]
在其中一个优选的实施方式中，r1～r4为氢原子。
[0121]
在其中一个优选的实施方式中，ar2和ar3独立的选自苯基、联苯基、萘基、吡啶基和嘧啶基。
[0122]
在其中一个优选的实施方式中，m和n中一个为0，另一个为1。
[0123]
在其中一个优选的实施方式中，n为1，m为0。
[0124]
在其中一个优选的实施方案中，式(2-1)中，r
11
～r
12
为氢原子，ar
11
和ar
12
为苯基、萘基和联苯基。
[0125]
在其中一个优选的实施方案中，式(2-2)中，r
21
～r
22
为氢原子，ar
21
和ar
22
为苯基、萘基和联苯基。
[0126]
在其中一个优选的实施方案中，式(2-3)中，r
31
～r
32
为氢原子，ar
31
和ar
32
为苯基、萘基和联苯基。
[0127]
在其中一个优选的实施方案中，式(2-4)中，r
41
为氢原子，ar
41
和ar
42
为苯基、萘基和联苯基。
[0128]
在其中一个优选的实施方案中，式(2-5)中，r
51
为氢原子，ar
51
和ar
52
为苯基、萘基和联苯基。
[0129]
在其中一个优选的实施方案中，式(2-6)中，r
61
～r
62
为氢原子，ar
61
和ar
62
为苯基、萘基和联苯基，x2选自o原子或s原子。
[0130]
在其中一个优选的实施方案中，式(2-7)中，r
71
～r
72
为氢原子，ar
71
和ar
72
为苯基、萘基和联苯基，x3选自o原子或s原子。
[0131]
在其中一个优选的实施方案中，式(2-8)中，ar
81
和ar
82
为苯基、萘基和联苯基。
[0132]
在本说明书中，“环碳原子”是指形成饱和环、不饱和环或芳香环的碳原子。“形成环的原子”是指形成杂环(包括饱和环、不饱和环或芳香环)的碳原子和杂原子。
[0133]
此外，作为“取代或未取代...”中的取代基，可以举出如后所述的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、环烷基、杂环基、卤素原子、卤素化烷基、羟基、硝基、氰基、羧基等。
[0134]
这里，“未取代”是指一个基团被氢原子取代，本发明的氢原子包括轻氢、氘和氚。
[0135]
关于上述式(1)和式(2)中的r1～r4、r
11
～r
12
、r
21
～r
22
、r
31
～r
32
、r
41
、r
51
、r
61
～r
62
、r
71
～r
72
、ar2、ar3、ar
11
～ar
12
、ar
21
～ar
22
、ar
31
～ar
32
、ar
41
～ar
42
、ar
51
～ar
52
、ar
61
～ar
62
、ar
71
～ar
72
和ar
81
～ar
82
所表示的各基团，以及“取代或未取代...”中的取代基，以下进行详细描述。
[0136]
在其中一个优选的实施方式中，式(1)、式(2)中的取代基各自独立的选自卤素原子、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为2～10的烯基、碳原子数为2～10的炔基、形成环的碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为3～10的甲硅烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、具有6～20个环碳原子的芳基、具有5～20个碳原子的杂芳基。
[0137]
在其中一个实施方式中，所述卤素原子选自氟、氯和溴，优选氟原子。
[0138]
所述碳原子数为1～10的烷基选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基；优选甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基。
[0139]
所述碳原子数为2～10的烯基选自乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1,3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、1-甲基烯丙基、1,1-二甲基烯丙基、2-甲基烯丙基、1,2-二甲基烯丙基；优选乙烯基。
[0140]
所述碳原子数为2～10的炔基选自乙炔基、丙炔基、3-戊炔基，优选乙炔基。
[0141]
所述碳原子数为3～10的环烷基选自环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4-甲基环己基、金刚烷基、降冰片基；形成环的碳原子数优选为3～10，进一步优选5～8，更优选形成环的碳数为3～8，特别优选形成环的碳数为3～6。
[0142]
所述碳原子数为3～10的甲硅烷基选自三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基；
[0143]
所述碳原子数为1～10的烷氧基选自甲氧基、乙氧基；
[0144]
所述具有6～20个环碳原子的芳基选自苯基、1-萘基、2-萘基、3-萘基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、并四苯基、基、苯并[c]菲基、苯并[g]基、苯并菲基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、三联苯基、荧蒽基；上述芳基的形成环的原子数优选为6～20，更优选6～12，例如苯基、萘基、菲基、芴基、蒽基、基、荧蒽基。特别优选为苯基、萘基。
[0145]
所述具有5～20个碳原子的杂芳基选自吡咯基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、咪唑基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基、4-二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、9-咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯琳基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、噻吩基、苯并噻吩基。
[0146]
上述杂芳基的形成环的原子数优选为5～20，进一步优选为5～14。优选1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基、4-二苯并噻吩基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、9-咔唑基、吡啶基、嘧啶基。
[0147]
四苯基乙烯衍生物的具体实例如下，但不限于此：
[0148]
[0149]
[0150]
[0151]
[0152]
[0153]
[0154]
[0155]
[0156]
[0157][0158]
本发明中，四苯基乙烯衍生物的合成主要通过一系列熟知的miyaura硼酸酯化反应、suzuki-miyaura偶联反应以及buchwald-hartwig偶联反应(又称buchwald-hartwig胺化反应)实现。miyaura硼酸酯化反应，即在钯催化下，卤代芳烃和联硼酸频那醇酯反应制备芳基硼酸酯的反应(ishiyama,t.；murata,m.；miyaura,n.j.org.chem.1995,60,7508-7510)。suzuki-miyaura反应通常是在钯催化剂存在和惰性气氛下进行，利用芳基硼酸酯与氯、溴、碘代芳烃或烯烃发生交叉偶联(miyaura,n.；suzuki,a.chem.rev.1995,95,2457-2483.)。buchwald-hartwig偶联反应主要利用钯催化剂和强碱，由芳基卤代物和伯胺或仲胺制备合成芳胺(j.am.chem.soc.1994,116,17,7901
–
7902)。
[0159]
具体可以通过以下步骤实现：
[0160]
(1)四苯基乙烯硼酸酯与蒽的二溴化物通过suzuki反应实现c-c偶联，得到四苯基乙烯-蒽连接的中间体产物1；
[0161]
(2)四苯基乙烯-蒽连接的中间体产物1进一步硼酸酯化，将剩余的溴转化为硼酸酯，得到四苯基乙烯-蒽连接的硼酸酯中间体产物2；
[0162]
(3)二苯芴或二苯芴衍生物的卤化物与芳基胺通过buchwald-hartwig偶联反应实现c-n偶联，得到二苯基芴或二苯芴衍生物的胺化中间体产物3；
[0163]
(4)四苯基乙烯-蒽连接的硼酸酯中间体产物2与二苯基芴或二苯芴衍生物的胺化中间体产物3再次通过suzuki反应偶联，得到目标物。
[0164]
具体操作及工艺条件通过实施例1予以说明。
[0165]
另外，需要说明的是，可以根据目标化合物选取上述合成方法，适当地调整合成步骤。
[0166]
上述四苯基乙烯衍生物，可以作为有机电致发光器件用发光材料、掺杂材料使用。含有四苯基乙烯衍生物作为掺杂物时，含量没有特殊限制，可以是1wt％或更多，优选含量为1.0～80.0wt％，更优选含量为5.0～20.0wt％。
[0167]
本技术实施例提供了一种有机电致发光器件，包含上述所述的四苯基乙烯衍生物。
[0168]
在其中一个实施方式中，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极、阳极与阴极之间的有机层，其中至少一个有机层是发光层，所述发光层为四苯基乙烯衍生物或含有四苯基乙烯衍生物的混合物。
[0169]
在其中一个实施方式中，所述有机电致发光器件是荧光或磷光的单色发光器件、荧光-磷光混合的白光发光器件、具有单个发光单元的简单型发光器件、具有两个或多个发
光单元的串联型发光器件中的任意一种。
[0170]
作为一种简单的有机电致发光器件的代表性结构，给出器件结构如下：
[0171]
(1)阳极/发光单元/阴极
[0172]
上述提到的发光单元可以是包含多层荧光发光层和磷光发光层的叠层结构。在这种情况下，为防止磷光发光层中产生的激子扩散到荧光发光层，可以在发光层之间设置间隔层。
[0173]
下面给出发光单元的代表性叠层结构。
[0174]
(a)空穴传输层/发光层(/电子传输层)
[0175]
(b)空穴传输层/第一磷光发光层/第二磷光发光层(/电子传输层)
[0176]
(c)空穴传输层/磷光发光层/间隔层/荧光发光层(/电子传输层)
[0177]
(d)空穴传输层/第一磷光发光层/第二磷光发光层/间隔层/荧光发光层(/电子传输层)
[0178]
(e)空穴传输层/第一磷光发光层/间隔层/第二磷光发光层/间隔层/荧光发光层(/电子传输层)
[0179]
(f)空穴传输层/磷光发光层/间隔层/第一荧光发光层/第二荧光发光层(/电子传输层)
[0180]
(g)空穴传输层/电子阻挡层/发光层(/电子传输层)
[0181]
(h)空穴传输层/发光层/空穴阻挡层(/电子传输层)
[0182]
(i)空穴传输层/荧光发光层/三重态阻挡层(/电子传输层)
[0183]
上所述的磷光或荧光发光层可以发出不同颜色的光。具体的，在叠层结构(d)中，可以举出如下例子：空穴传输层/第一磷光发光层(红光)/第二磷光发光层(绿光)/间隔层/荧光发光层(蓝光)/电子传输层。
[0184]
在每个发光层和空穴传输层或间隔层之间，可以适当地设置电子阻挡层。在每个发光层和电子传输层之间，可以适当地设置空穴阻挡层。由于提供了电子阻挡层或空穴阻挡层，电子和空穴可以被限制在发光层内，从而可以增加发光层中载流子复合的可能性，从而延长寿命。
[0185]
作为串联有机电致发光器件的代表性结构，给出器件结构如下：
[0186]
(2)阳极/第一发光单元/中间层/第二发光单元/阴极
[0187]
第一发光单元和第二发光单元的分层结构可以选自上述提到的发射单元的代表性叠层结构。
[0188]
通常，中间层又称为中间电极、中间导电层、载流子形成层、或电子层，可以通过材料配置实现想第一发光层提供电子并向第二发光层提供空穴。
[0189]
本发明的有机电致发光器件的一个例子的结构示意图如图1所示，其中有机电致发光器件包括基板1、阳极2、阴极8和设置在阳极2和阴极8之间的有机薄膜层10(发光单元10)。发光单元10包括包含空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6和电子注入层7。电子阻挡层可以设置在发光层5的阳极2侧，并且空穴阻挡层可以设置在发光层5的阴极8侧。通过这些阻挡层，电子和空穴被限制在发光层5中，以提高发光层5中激子的复合度。
[0190]
在本发明中，与荧光掺杂材料结合的宿主称为荧光主体材料，与磷光掺杂材料结合的宿主称为磷光主体材料。因此，荧光主体材料和磷光主体材料不能仅仅通过其分子结
构的差异来区分。在本发明中，术语“磷光主体”是指用于构成含有磷光掺杂材料的磷光发光层的材料，并不是指不能用作荧光发光层材料的材料。这同样适用于“荧光主体”。
[0191]
基板
[0192]
本发明的有机电致发光器件形成于透明基板上。作为有机电致发光器件的载体，优选400～700nm波段可见光透过率达到80％的玻璃基板。玻璃板可以由钠钙玻璃、含钡锶玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、硼硅酸盐钡玻璃或石英制成。
[0193]
阳极
[0194]
作为本发明的有机电致发光器件中的阳极材料，向空穴传输层或发光层注入空穴，具有4.5ev以上的功函数是合适的，可以是铟锡氧化物合金(ito)、氧化锡(nesa)、氧化铟锌合金、金、银、铂和铜等，但不限于这些。阳极是通过特定方法将阳极材料制成薄膜而形成的，例如气相沉积法或溅射法。当器件从发光层透过阳极出光时，阳极对可见光的透过率优选为10％或更高。阳极的薄层电阻最好是几百ω/
°
或更低。阳极的薄膜厚度取决于材料的种类，一般为10nm-1μm，优选100-200nm。
[0195]
阴极
[0196]
所述阴极将电子注入到电子注入层、电子传输层或发光层，并且优选由具有小功函数的材料形成。用于阴极的材料实例包括但不限于铟、铝、镁、镁铟合金、镁铝合金、铝锂合金、铝钪锂合金和镁银合金。与阳极一样，阴极是通过气相沉积法和溅射法等方法将材料制成薄膜而形成的。
[0197]
发光层
[0198]
发光层是具有发光功能的有机层，当采用掺杂系统时，它包含主体材料和掺杂材料。主体材料的主要功能是促进电子和空穴的复合，并将激子限制在发光层中。掺杂剂材料的功能是使复合产生的激子有效发光。
[0199]
为了控制发光层中的载流子平衡，发光层可以制成双主体(主体/共主体)层，例如通过使用电子传输主体和空穴传输主体的组合实现。
[0200]
发光层可以制成双掺杂层，两种或多种具有高量子产率的掺杂材料组合使用，每种掺杂剂材料以其自己的颜色发光。例如，通过使用共沉积主体材料、红光掺杂材料和绿光掺杂材料而形成的发光层，可以获取黄光。
[0201]
在含两个或多个发光层的叠层结构中，电子和空穴积聚在发光层之间的界面上，因此，复合区域位于发光层之间的界面上，以提高量子效率。
[0202]
向发光层注入空穴的难易程度和向发光层注入电子的难易程度可能是不同的。同样，空穴传输能力和电子传输能力分别由发光层中空穴和电子的迁移率表示，彼此可能不同。
[0203]
所述发光层是通过已知方法形成的，例如气相沉积法、旋涂法和lb法等，但不限于此。发光层优选为分子沉积膜。分子沉积膜是通过沉积气化材料或通过使材料在溶液或液体状态下固化而形成的薄膜。分子沉积膜与lb法形成的薄膜(分子堆积膜)可以通过组装结构、高阶结构的差异，以及由于结构差异引起的功能差异来区分。
[0204]
发光层的厚度优选为5～50nm，更优选7～50nm，最优选10～50nm。如果小于5nm，则可能难以形成发光层并且颜色可能难以控制。如果超过50nm，驱动电压可能会增加。
[0205]
(1)荧光发光层
[0206]
荧光发光层通常包括至少一种发光材料和至少一种主体材料。
[0207]
用于荧光发光层的主体材料通常选自一般主体材料，其最好具有比发光材料更宽的带隙，通过从主体材料到发光材料的能量转移机制实现高效发光。优选荧光主体材料的具体实例是取代或未取代的杂环化合物或取代或未取代的芳烃化合物，例如，寡聚亚苯基衍生物、萘衍生物、芴衍生物、荧蒽衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、苯并菲衍生物、苯并蒽衍生物、屈衍生物、并四苯衍生物、苯并屈衍生物等。
[0208]
用于荧光发光层的发光材料通常选自一般的发光材料或荧光染料，其优选具有高吸收系数和高量子效率的材料，以便获得高光效。优选荧光发光材料的具体实例是上述四苯基乙烯衍生物，芳烃衍生物，如寡聚亚苯基衍生物、萘衍生物、芴衍生物、荧蒽衍生物、稠合芴衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、苯并菲衍生物、屈衍生物、并四苯衍生物、苯并屈衍生物等。
[0209]
(2)磷光发光层
[0210]
磷光发光层通常包括至少一种发光材料和至少一种主体材料。磷光主体材料是一种化合物，它有效地将磷光掺杂材料的三重态能量限制在发光层中，以使磷光掺杂材料有效地发光。
[0211]
用于磷光发光层的主体材料通常选自已知的磷光主体材料。优选磷光主体材料的具体实例包括含氮杂芳烃，如吲哚衍生物、咔唑衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、异喹啉衍生物、喹唑啉衍生物、氮化二苯并噻吩衍生物、氮化二苯并呋喃衍生物、咪唑衍生物、苯并咪唑衍生物、咪唑吡啶衍生物、苯并咪唑菲啶衍生物、苯并咪唑-苯并咪唑衍生物；含氧或硫的杂芳烃，如噻吩衍生物、呋喃衍生物、苯并噻吩衍生物、苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物；芳基或杂芳基取代的胺衍生物；金属配合物；芳烃衍生物，如苯衍生物、萘衍生物、菲衍生物、三苯衍生物、芴衍生物，等等。
[0212]
用于磷光发光层的掺杂材料(磷光发光材料)是一种能从三重激发态发射光的化合物。磷光掺杂材料不受限制，只要它能从三重激发态发光即可。磷光掺杂材料优选为有机金属配合物，其含有至少一种选自ir、pt、os、au、cu、re和ru的金属以及配体。优选配体具有邻位金属化键。为获取高的磷光量子产率和外部量子效率的器件，磷光掺杂材料优选为具有选自ir、os和pt的金属原子的化合物。进一步优选的是金属配合物，例如铱配合物、锇配合物和铂配合物，邻位金属化配合物更优选。其中，铱配合物和铂配合物更优选，邻位金属化铱配合物特别优选。
[0213]
电子传输层
[0214]
电子传输层是设置在发光层和阴极之间的有机层，并将电子从阴极传递到发光层。如果提供两个或多个电子传输层，则在某些情况下，更靠近阴极的有机层可称为电子注入层。电子注入层可以有效地将电子从阴极注入有机层单元。
[0215]
在其分子中具有一种或多种杂原子的芳香杂环化合物优选用作电子传输层中使用的电子传输材料，并且特别优选含氮杂环衍生物。此外，含氮杂环衍生物优选为含有6或5元氮杂环的芳环化合物，或含有6或5元氮杂环的稠合芳环化合物。
[0216]
电子传输层的厚度优选，但不特别限于1～100nm。
[0217]
可选的电子注入层材料的优选例子，除了含氮杂环衍生物外，还包括无机化合物，如绝缘材料和半导体。含有绝缘材料或半导体的电子注入层可以有效地防止电流的泄漏，
以提高电子注入的性能。
[0218]
所述绝缘材料优选为至少一种金属化合物选自碱金属硫族化合物、碱土金属硫族化合物、碱金属卤化物和碱土金属卤化物。上面提到的碱金属硫族化合物等是优选的，因为电子注入层的电子注入性能得到进一步增强。优选的碱金属硫族化合物的实例包括li2o、k2o、na2s、na2se和na2o，而优选的碱土金属硫族化合物的实例包括cao、bao、sro、beo、bas和case。优选的碱金属卤化物的实例包括lif、naf、kf、licl、kcl和nacl。碱土金属卤化物的实例包括氟化物，如caf2、baf2、srf2、mgf2和bef2，以及氟化物以外的卤化物。
[0219]
半导体的实例包括至少含有ba、ca、sr、yb、al、ga、in、li、na、cd、mg、si、ta、sb和zn组成的组中的一种元素的氧化物、氮化物或氮氧化物。该半导体可以单独使用或两种或多种组合使用。包含在电子注入层中的无机化合物优选形成微晶或无定形绝缘薄膜。如果电子注入层由这种绝缘薄膜形成，则可以减少像素缺陷(例如黑点)，因为形成了更均匀的薄膜。这种无机化合物的实例包括碱金属硫族化物、碱土金属硫族化物、碱金属卤化物和碱土金属卤化物。
[0220]
当使用绝缘材料或半导体时，该层的厚度优选为约0.1～15nm。
[0221]
空穴传输层
[0222]
空穴注入/传输层是在发光层和阳极之间形成的有机层，具有将空穴从阳极传输到发光层的功能。当空穴传输层由两层或多层形成时，在某些情况下，更接近阳极的层可以被定义为空穴注入层。空穴注入层具有将空穴从阳极有效注入有机层单元的功能。
[0223]
该空穴传输层可以制成第一空穴传输层(阳极侧)和第二空穴传输层(阴极侧)的两层结构。
[0224]
空穴传输层的厚度优选为10～200nm，没有特别限制。
[0225]
n/p掺杂
[0226]
空穴传输层和电子传输层的载流子注入特性可以通过用电子供体材料掺杂(n)或用电子受体材料掺杂(p)来控制。
[0227]
n掺杂的典型例子是掺杂金属的电子传输材料，例如li和cs，p掺杂的典型例子是掺杂受体材料的空穴传输材料，例如f4tcnq(2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基喹二甲烷)。
[0228]
间隔层
[0229]
在含多层荧光发光层和磷光发光层叠层结构的有机电致发光器件中，在荧光发光层和磷光发光层之间设置一个空间层，以防止磷光发光层中产生的激子扩散到荧光发光层或控制载流子平衡。该间隔层也可以设置在两个或多个磷光发光层之间。
[0230]
由于间隔层设置在发光层之间，因此优选使用电子传输能力和空穴传输能力兼具的材料。为了防止三重态能量在相邻磷光发光层中的扩散，用于间隔层的材料三重态能量优选为2.6ev或更高。关于空穴传输层所描述的材料可用作间隔层的材料。
[0231]
阻挡层
[0232]
阻挡层，如电子阻挡层，空穴阻挡层和三重态阻挡层，设置在发光层附近。电子阻挡层是防止电子从发光层扩散到空穴传输层的层。空穴阻挡层是防止空穴从发光层扩散到电子传输层的层。
[0233]
三重态阻挡层可防止在发光层中产生的三重态激子扩散到相邻层，并具有将三重态激子限制在发光层中的功能，从而防止能量在除三重态激子的发光掺杂材料以外的分子
上失活，例如，在电子传输层中的分子上。
[0234]
三重态阻挡层的材料优选在0.04～0.5mv/cm的电场强度下电子迁移率为10-6cm2/vs或更高的材料。有几种方法可以测量有机材料的电子迁移率，例如，飞行时间法。在这里，电子迁移率是指由阻抗谱学确定的电子迁移率。
[0235]
电子注入层的材料优选在0.04～0.5mv/cm的电场强度下电子迁移率为10-6cm2/vs或更高的材料。在上述范围内，可以促进电子从阴极到电子传输层的注入，还可以促进电子向相邻阻挡层和发光层的注入，从而能够在较低电压下驱动器件。
[0236]
本发明还涉及一种包含本发明所述的有机电致发光器件的电子设备。
[0237]
使用本发明的式(i)化合物的有机电致发光装置可用于各种显示器使用的面板模块中。
[0238]
使用本发明的式(i)化合物的有机电致发光装置可用于电视、移动电话和个人电脑的显示元件；或作为电子设备，如照明设备或类似设备。
[0239]
使用本发明的式(i)化合物的oled(有机电致发光器件)可用于所有使用电致发光的装置。合适的设备优选自固定和移动的视觉显示单元和照明单元。固定视觉显示单元，例如计算机、电视机的视觉显示单元、打印机中的视觉显示单元、厨房电器和广告面板、照明和信息面板。移动视觉显示单元，例如手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、mp3播放器、车辆和公共汽车和火车上的目的地显示器中的视觉显示单元。可以使用本发明的oled的其它设备例如键盘、衣物、家具、壁纸等。
[0240]
在其中一个实施方式中，所述有机电致发光器件应用于平面显示器件、异形显示器件、曲面显示器件、柔性显示器件和照明器件。
[0241]
下面以具体实施例进一步阐述本发明：
[0242]
实施例1
[0243]
化合物1的合成
[0244]
(1)中间体1的合成
[0245][0246]
中间体1的合成是应用suzuki-miyaura反应，在钯催化剂存在和惰性气氛下进行，利用芳基硼酸酯与氯、溴、碘代芳烃或烯烃发生交叉偶联(miyaura,n.；suzuki,a.chem.rev.1995,95,2457-2483.)。在本反应中，利用四苯基乙烯硼酸酯与蒽的二溴化物通过suzuki反应实现c-c偶联，得到四苯基乙烯-蒽连接的中间体产物1。
[0247]
取中间体a(9.16g，16mmol)，中间体b(5.36g，16mmol)，四三苯基膦钯(924mg，0.8mmol)，碳酸钾(6.64g，48mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应14h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到中间体1，产率为50％。
[0248]
(2)中间体2的合成
[0249][0250]
中间体2的合成是应用miyaura硼酸酯化反应，在钯催化下，卤代芳烃和联硼酸频那醇酯反应制备芳基硼酸酯的反应(ishiyama,t.；murata,m.；miyaura,n.j.org.chem.1995,60,7508-7510)。在本反应中，四苯基乙烯-蒽连接的中间体产物1进一步硼酸酯化，将剩余的溴转化为硼酸酯，得到四苯基乙烯-蒽连接的硼酸酯中间体产物2。
[0251]
取中间体1(4.70g，8.0mmol)，中间体c(2.44g，9.6mmol)，[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(176mg，0.24mmol)，醋酸钾(2.36g，24mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加二氧六环，于104℃反应10h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到中间体2，产率为54％。
[0252]
(3)中间体3的合成
[0253][0254]
中间体3的合成是应用buchwald-hartwig偶联反应，利用钯催化剂和强碱，由芳基卤代物和伯胺或仲胺制备合成芳胺(j.am.chem.soc.1994,116,17,7901
–
7902)。在本反应中，二苯芴或二苯芴衍生物的卤化物与芳基胺通过buchwald-hartwig偶联反应实现c-n偶联，得到二苯基芴或二苯芴衍生物的胺化中间体产物3。
[0255]
取中间体d(3.81g，8.0mmol)，中间体e(2.36g，8.0mmol)，pd(oac)2(45mg，0.2mmol)，p(o-tolyl)3(122mg，0.4mmol)以及nao
t
bu(1.15g，12mmol)于反应瓶中，加入15ml甲苯，氩气保护下升温至110℃反应12h。冷却反应液，加入60ml蒸馏水猝灭反应，用60ml二氯甲烷萃取。有机相用饱和氯化钠溶液洗涤(30ml x 3)，无水硫酸钠干燥，减压蒸除溶剂，得到粗产品。粗产品经层析提纯得到中间体3，产率55％。
[0256]
(4)化合物1的合成
[0257][0258]
化合物1的合成是再次应用suzuki-miyaura反应，在钯催化剂存在和惰性气氛下进行，利用芳基硼酸酯与氯、溴、碘代芳烃或烯烃发生交叉偶联(miyaura,n.；suzuki,a.chem.rev.1995,95,2457-2483.)。在本反应中，利用四苯基乙烯-蒽连接的硼酸酯中间体产物2与二苯基芴或二苯芴衍生物的胺化中间体产物3再次通过suzuki反应偶联，得到目标
物化合物1。
[0259]
取中间体3(2.76g，4.0mmol)，中间体2(2.54g，4.0mmol)，四三苯基膦钯(231mg，0.2mmol)，碳酸钾(1.66g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应16h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到化合物1，产率为49％。
[0260]
实施例2
[0261]
化合物2的合成
[0262]
(1)中间体4的合成
[0263][0264]
取中间体f(3.85g，8.0mmol)，中间体g(1.75g，8.0mmol)，pd(oac)2(90mg，0.4mmol)，dppf(222mg，0.4mmol)以及nao
t
bu(1.15g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加入甲苯，于100℃反应16h。冷却至室温，用甲苯稀释，垫硅胶过滤，滤液真空蒸除溶剂，得到粗品，粗品过柱，得到中间体4，产率为57％。
[0265]
(2)化合物2的合成
[0266][0267]
取中间体4(2.48g，4.0mmol)，中间体2(2.54g，4.0mmol)，四三苯基膦钯(231mg，0.2mmol)，碳酸钾(1.66g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应16h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到化合物2，产率为47％。
[0268]
实施例3
[0269]
化合物3的合成
[0270]
(1)中间体5的合成
[0271][0272]
取中间体h(4.59g，8.0mmol)，中间体j(1.96g，8.0mmol)，pd(oac)2(90mg，0.4mmol)，dppf(222mg，0.4mmol)以及nao
t
bu(1.15g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加入甲苯，于80℃反应8h。冷却至室温，用甲苯稀释，垫硅胶过滤，滤液真空蒸除溶剂，得到粗品，
粗品过柱，得到中间体5，产率为63％。
[0273]
(2)化合物3的合成
[0274][0275]
取中间体5(2.76g，4.0mmol)，中间体2(2.54g，4.0mmol)，四三苯基膦钯(231mg，0.2mmol)，碳酸钾(1.66g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应16h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到化合物3，产率为50％。
[0276]
实施例4
[0277]
化合物4的合成
[0278]
(1)中间体6的合成
[0279][0280]
取中间体k(4.21g，8.0mmol)，中间体m(1.75g，8.0mmol)，pd(oac)2(45mg，0.2mmol)，p(o-tolyl)3(122mg，0.4mmol)以及nao
t
bu(1.15g，12mmol)于反应瓶中，加入15ml甲苯，氩气保护下升温至110℃反应12h。冷却反应液，加入60ml蒸馏水猝灭反应，用60ml二氯甲烷萃取。有机相用饱和氯化钠溶液洗涤(30ml x 3)，无水硫酸钠干燥，减压蒸除溶剂，得到粗产品。粗产品经层析提纯得到中间体6，产率53％。
[0281]
(2)化合物4的合成
[0282][0283]
取中间体6(2.66g，4.0mmol)，中间体2(2.54g，4.0mmol)，四三苯基膦钯(231mg，0.2mmol)，碳酸钾(1.66g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应16h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到化合物4，产率为51％。
[0284]
实施例5
[0285]
化合物5的合成
[0286]
(1)中间体7的合成
[0287][0288]
取中间体n(5.13g，8.0mmol)，中间体p(1.35g，8.0mmol)，pd(oac)2(45mg，0.2mmol)，p(o-tolyl)3(122mg，0.4mmol)以及nao
t
bu(1.15g，12mmol)于反应瓶中，加入15ml甲苯，氩气保护下升温至110℃反应12h。冷却反应液，加入60ml蒸馏水猝灭反应，用60ml二氯甲烷萃取。有机相用饱和氯化钠溶液洗涤(30ml x 3)，无水硫酸钠干燥，减压蒸除溶剂，得到粗产品。粗产品经层析提纯得到中间体7，产率50％。
[0289]
(2)化合物5的合成
[0290][0291]
取中间体7(2.92g，4.0mmol)，中间体2(2.54g，4.0mmol)，四三苯基膦钯(231mg，0.2mmol)，碳酸钾(1.66g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应16h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到化合物5，产率为49％。
[0292]
实施例6
[0293]
化合物6的合成
[0294]
(1)中间体8的合成
[0295][0296]
取中间体q(4.17g，8.0mmol)，中间体2(5.08g，8.0mmol)，四三苯基膦钯(462mg，0.4mmol)，碳酸钾(3.32g，24mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应10h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到中间体8，产率为50％。
[0297]
(2)化合物6的合成
[0298][0299]
取中间体8(3.80g，4.0mmol)，中间体p(0.68g，4.0mmol)，pd(oac)2(45mg，0.2mmol)，p(t-bu)3(40mg，0.2mmol)以及nao
t
bu(576mg，6.0mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加入甲苯，于100℃反应6h。冷却至室温，用甲苯稀释，垫硅胶过滤，滤液真空蒸除溶剂，得到粗品，粗品过柱，得到化合物6，产率为55％。
[0300]
实施例7
[0301]
化合物7的合成
[0302]
(1)中间体9的合成
[0303][0304]
取中间体r(4.30g，8.0mmol)，中间体p(1.35g，8.0mmol)，pd(oac)2(90mg，0.4mmol)，dppf(222mg，0.4mmol)以及nao
t
bu(1.15g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加入甲苯，于100℃反应16h。冷却至室温，用甲苯稀释，垫硅胶过滤，滤液真空蒸除溶剂，得到粗品，粗品过柱，得到中间体9，产率为54％。
[0305]
(2)化合物7的合成
[0306][0307]
取中间体9(2.50g，4.0mmol)，中间体2(2.54g，4.0mmol)，四三苯基膦钯(231mg，0.2mmol)，碳酸钾(1.66g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应16h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到化合物7，产率为45％。
[0308]
实施例8
[0309]
化合物8的合成
[0310]
(1)中间体10的合成
[0311][0312]
取中间体s(4.61g，8.0mmol)，中间体p(1.35g，8.0mmol)，pd(oac)2(45mg，0.2mmol)，p(o-tolyl)3(122mg，0.4mmol)以及nao
t
bu(1.15g，12mmol)于反应瓶中，加入15ml甲苯，氩气保护下升温至110℃反应12h。冷却反应液，加入60ml蒸馏水猝灭反应，用60ml二氯甲烷萃取。有机相用饱和氯化钠溶液洗涤(30ml x 3)，无水硫酸钠干燥，减压蒸除溶剂，得到粗产品。粗产品经层析提纯得到中间体10，产率51％。
[0313]
(1)化合物8的合成
[0314][0315]
取中间体10(2.66g，4.0mmol)，中间体2(2.54g，4.0mmol)，四三苯基膦钯(231mg，0.2mmol)，碳酸钾(1.66g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应16h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到化合物8，产率为48％。
[0316]
实施例9
[0317]
化合物9的合成
[0318]
(1)中间体11的合成
[0319][0320]
取中间体t(16.26g，64mmol)，中间体u(31.36g，64mmol)，四三苯基膦钯(3.70g，3.2mmol)，碳酸钾(26.54g，192mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应14h，冷却至室温。加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到中间体11，产率为50％。
[0321]
(2)中间体12的合成
[0322][0323]
取中间体11(17.2g，32mmol)，中间体c(9.75g，38.4mmol)，[1,1'-双(二苯基膦基)
二茂铁]二氯化钯(pdcl2(dppf))(702mg，0.96mmol)，醋酸钾(9.42g，96mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加二氧六环，于104℃反应10h，冷却至室温。加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到中间体12，产率为54％。
[0324]
(3)中间体13的合成
[0325][0326]
取中间体12(9.35g，16mmol)，中间体b(5.38g，16mmol)，四三苯基膦钯(924mg，0.8mmol)，碳酸钾(6.63g，48mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应14h，冷却至室温。加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到中间体13，产率为49％。
[0327]
(4)中间体14的合成
[0328][0329]
取中间体13(5.71g，8mmol)，中间体c(2.44g，9.6mmol)，[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(pdcl2(dppf))(176mg，0.24mmol)，醋酸钾(2.36g，24mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加二氧六环，于104℃反应10h，冷却至室温。加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到中间体14，产率为51％。
[0330]
(5)化合物9的合成
[0331][0332]
取中间体3(2.76g，4.0mmol)，中间体14(3.04g，4.0mmol)，四三苯基膦钯(231mg，0.2mmol)，碳酸钾(1.66g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应16h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到化合物9，产率为47％。
[0333]
实施例10
[0334]
化合物10的合成
[0335]
(1)化合物10的合成
[0336][0337]
取中间体5(2.76g，4.0mmol)，中间体14(3.04g，4.0mmol)，四三苯基膦钯(231mg，
0.2mmol)，碳酸钾(1.66g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应16h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到化合物10，产率为45％。
[0338]
实施例11
[0339]
化合物11的合成
[0340]
(1)化合物11的合成
[0341][0342]
取中间体6(2.66g，4.0mmol)，中间体14(3.04g，4.0mmol)，四三苯基膦钯(231mg，0.2mmol)，碳酸钾(1.66g，12mmol)于反应瓶中，抽换氮气，加甲苯/乙醇/水(8/1/1)，于110℃反应16h。冷却至室温，加二氯甲烷，水萃取，收集有机层，旋干，过柱，得到化合物11，产率为46％。
[0343]
应用实施例
[0344]
比较例1
[0345]
在一个尺寸为25
×
75
×
1.1mm的玻璃基板上，提供了由氧化铟锡形成的120nm厚的透明电极。这个透明电极作为阳极，经过紫外线臭氧清洗后，将玻璃基片放入真空蒸镀设备中。
[0346]
首先，沉积一层由hatcn形成的5nm厚的薄膜作为空穴注入层。接着，在其上沉积一层由tapc形成的25nm厚的薄膜作为空穴传输层。再在tapc上，蒸镀激子阻挡层tcta，厚度为15nm。在tcta之上，蒸镀厚度为20nm的发光层p1。然后，在该发光层上沉积由tpbi形成的40nm厚的薄膜作为电子传输层。最后一步，沉积一层1nm厚的lif薄膜和一层100nm厚的铝膜，起到阴极的作用。从而得到有机电致发光器件。
[0347]
器件结构：ito/hatcn(5nm)/tpac(25nm)/tcta(15nm)/p1(20nm)/tpbi(40nm)/lif(1nm)/al(100nm)。
[0348]
应用实施例中使用的化合物如下所示：
[0349][0350]
对于由此获得的有机电致发光器件，采用以下方法测量了开启电压、电流密度为10ma/cm2下的器件性能(电流效率、发光效率)、电致发光峰和cie1931(x，y)色度坐标。器件的详细电致发光性能数据列于表1中。
[0351]
·
亮度：通过分光光度计(cs-2000，konica minolta holdings，inc.)测量。
[0352]
·
电流效率(l/j)：l/j是亮度与电流密度的比值。电流和电压通过source measure unit 236(keithley instruments inc.)测量，亮度通过分光光度计测量。根据电
流值和发光面积计算电流密度，进而得到l/j。
[0353]
·
发光效率(lm/w)通过以下公式获得：
[0354]
·
电致发光峰：通过分光光度计(cs-2000，konica minolta holdings，inc.)测量。
[0355]
·
cie1931(x，y)色度坐标：通过分光光度计(cs-2000，konica minolta holdings，inc.)测量。
[0356]
应用实施例1-11
[0357]
有机电致发光器件的制造和测量方式与比较例1相同，不同之处在于发光层采用的掺杂材料，器件结构如下：
[0358]
ito/hatcn(5nm)/tpac(25nm)/tcta(15nm)/b-host：b-dopant(40:2,20nm)/tpbi(40nm)/lif(1nm)/al(100nm).
[0359]
应用实施例中使用的b-host化合物结构如下所示，使用掺杂材料b-dopant具体如表1所示。
[0360][0361]
器件的详细电致发光性能数据示于表1中。
[0362]
表1
[0363][0364]
从表1中可知，实施例的器件具备开启电压低，蓝光色纯度高的特性。
[0365]
由此，本发明所述四苯基乙烯衍生物可以实现低功耗、蓝光色纯度高的显示器设备。
[0366]
工业应用
[0367]
本发明的有机电致发光装置可用作平面发光体，如壁挂式电视的平板显示器、复印机/打印机的背光、或计量仪器的光源、显示面板、标识灯等。
[0368]
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和
范围。