技术特征：
1.一种半导体元件，其中，所述半导体元件具备：半导体芯片；电极，其设置于所述半导体芯片的至少一个主面；第1接合用电极，其设置于所述电极上；以及第2接合用电极，其设置于所述第1接合用电极上，所述电极在所述第1接合用电极侧的表面具有凸部，在所述第1接合用电极中，所述第2接合用电极侧的表面平滑，在所述第2接合用电极中，与所述第1接合用电极相反的一侧的表面平滑。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述电极包含铝或铝合金，所述第1接合用电极包含镍、镍磷或镍硼，所述第2接合用电极包含金。3.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其中，所述第2接合用电极由多个层构成。4.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，所述第2接合用电极中的多个层的最下层包含钯、钯磷或钯合金，所述第2接合用电极中的多个层的最上层包含金。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体元件，其中，所述凸部的高度为1.0μm以上。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体元件，其中，所述半导体元件还具备：栅氧化膜，其设置于所述半导体芯片与所述电极之间；以及栅电极，其设置于所述栅氧化膜内，所述凸部位于所述栅氧化膜的上方。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体元件，其中，所述半导体元件是具备正面电极和背面电极的正面背面导通型的半导体元件，所述电极包含所述正面电极。8.根据权利要求7所述的半导体元件，其中，在所述背面电极上也设置了所述第1接合用电极和所述第2接合用电极。9.一种电力转换装置，其中，所述电力转换装置具备：主转换电路，其具有权利要求1至8中的任一项所述的所述半导体元件，并对所输入的电力进行转换并输出；以及控制电路，其将对所述主转换电路进行控制的控制信号输出至所述主转换电路。10.一种制造方法，该制造方法是半导体元件的制造方法，其中，包括：第1工序，在半导体芯片的至少一个主面形成电极；第2工序，在所述电极上形成第1接合用电极；以及第3工序，在所述第1接合用电极上形成第2接合用电极，在所述第1工序中，在所述电极的所述第1接合用电极侧的表面形成凸部，在所述第2工序中，将所述第1接合用电极的所述第2接合用电极侧的表面形成得平滑，
在所述第3工序中，将所述第2接合用电极的与所述第1接合用电极相反的一侧的表面形成得平滑。11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述电极包含铝或铝合金，所述第1接合用电极包含镍、镍磷或镍硼，所述第2接合用电极包含金。12.根据权利要求10或11所述的制造方法，其中，所述第2接合用电极由多个层构成。13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，所述第2接合用电极中的多个层的最下层包含钯、钯磷或钯合金，所述第2接合用电极中的多个层的最上层包含金。14.根据权利要求10至13中的任一项所述的制造方法，其中，所述凸部的高度为1.0μm以上。15.根据权利要求10至14中的任一项所述的制造方法，其中，还包括如下工序：在所述第1工序之前，在所述半导体芯片与所述电极之间形成栅氧化膜，并且在所述栅氧化膜内形成栅电极，在所述第1工序中，将所述凸部形成于所述栅氧化膜的上方。16.根据权利要求10至15中的任一项所述的制造方法，其中，所述半导体元件是具备正面电极和背面电极的正面背面导通型的半导体元件，所述电极包含所述正面电极。17.根据权利要求16所述的制造方法，其中，在所述背面电极上也形成所述第1接合用电极和所述第2接合用电极。18.根据权利要求10至17中的任一项所述的制造方法，其中，所述第1接合用电极通过无电解镀镍法形成，并以4.0μm/小时以上且10μm/小时以下的镍析出速度进行直到所述第2接合用电极侧的表面变得平滑为止。19.根据权利要求10至17中的任一项所述的制造方法，其中，所述第1接合用电极通过依次进行无电解镀镍法以及cmp法而形成。20.一种半导体元件，其中，所述半导体元件是通过权利要求10至19中的任一项所述的制造方法来制造的。
技术总结
半导体元件具备：半导体芯片(1)；电极(4)，其设置于所述半导体芯片(1)的至少一个主面；第1接合用电极(6)，其设置于所述电极(4)上；以及第2接合用电极(7)，其设置于所述第1接合用电极(6)上，所述电极(4)在所述第1接合用电极(6)侧的表面具有凸部，在所述第1接合用电极(6)中，所述第2接合用电极(7)侧的表面平滑，在所述第2接合用电极(7)中，与所述第1接合用电极(6)相反的一侧的表面平滑。极(6)相反的一侧的表面平滑。极(6)相反的一侧的表面平滑。
技术研发人员：小田原雅司 砂本昌利 上野隆二 中村祥太郎
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2022.03.01
技术公布日：2023/10/15