1.本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种键合方法及键合结构。
背景技术：
2.键合工艺是半导体制造工艺中常用的工艺技术，通过键合工艺可以将多片晶圆连接在一起，形成堆叠结构。混合键合(hybrid bond)是将介质层之间的键合和金属层之间的键合同时进行的工艺，广泛应用于晶圆与晶圆之间的键合、以及晶圆与芯片之间的键合。在混合键合之前，为了增强介质层之间的键合强度，通常需要对晶圆或者芯片进行表面处理。表面处理工艺虽然能够增强介质层之间的键合强度，但是会减弱金属层之间的键合强度，从而对整个键合结构的性能产生影响。在混合键合工艺结束之后，通常需要对通过键合工艺形成的键合结构进行退火处理，以增强金属层之间的键合强度。然而，高温退火工艺对键合结构中器件层的性能会产生影响，特别是随着半导体结构尺寸的不断微缩，高温带来的损伤会更加明显，从而易在键合结构内部产生缺陷，影响键合结构的性能。
3.因此，如何同时增强介质层之间的键合强度和金属层之间的键合强度，从而改善键合结构的性能，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现要素：
4.本公开一些实施例提供的键合方法及键合结构，用于同时增强介质层之间的键合强度和导电层之间的键合强度，从而实现对键合结构性能的改善。
5.根据一些实施例，本公开提供了一种键合方法，包括如下步骤：
6.提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一介质层、以及暴露于所述第一介质层的表面的第一导电层，所述第二晶圆包括第二介质层、以及暴露于所述第二介质层的表面的第二导电层；
7.对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面处理，形成覆盖所述第一介质层的第一键合层、以及覆盖所述第一导电层的第一处理层，并形成覆盖所述第二介质层的第二键合层、以及覆盖所述第二导电层的第二处理层；
8.去除所述第一处理层和所述第二处理层，并键合连接所述第一键合层与所述第二键合层，以及键合连接所述第一导电层和所述第二导电层。
9.在一些实施例中，对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面处理的具体步骤包括：
10.在含氮气氛下对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面处理，形成所述第一键合层、所述第一处理层、所述第二键合层和所述第二处理层。
11.在一些实施例中，去除所述第一处理层和所述第二处理层，并键合连接所述第一键合层与所述第二键合层，以及键合连接所述第一导电层和所述第二导电层的具体步骤包括：
12.去除所述第一处理层和所述第二处理层；
13.键合所述第一晶圆和所述第二晶圆，使得所述第一键合层与所述第二键合层键合连接、所述第一导电层与所述第二导电层键合连接。
14.在一些实施例中，去除所述第一处理层和所述第二处理层的具体步骤包括：
15.采用激光仅照射所述第一处理层和所述第二处理层，使得所述第一处理层和所述第二处理层均发生还原反应。
16.在一些实施例中，去除所述第一处理层和所述第二处理层，并键合连接所述第一键合层与所述第二键合层，以及键合连接所述第一导电层和所述第二导电层的具体步骤包括：
17.键合所述第一晶圆和所述第二晶圆，使得所述第一键合层与所述第二键合层键合连接、所述第一处理层与所述第二处理层键合连接；
18.去除所述第一处理层和所述第二处理层，并电连接所述第一导电层和所述第二导电层。
19.在一些实施例中，去除所述第一处理层和所述第二处理层的具体步骤包括：
20.采用激光退火工艺去除所述第一处理层和所述第二处理层。
21.在一些实施例中，所述第一晶圆还包括第一互连结构，所述第一互连结构与所述第一导电层背离所述第一处理层的一侧连接，所述第二晶圆还包括第二互连结构，所述第二互连结构与所述第二导电层背离所述第二处理层的一侧连接；采用激光退火工艺去除所述第一处理层和所述第二处理层的具体步骤包括：
22.采用激光照射所述第一互连结构背离所述第一导电层的一侧和所述第二互连结构背离所述第二导电层的一侧，使得所述第一处理层和所述第二处理层均发生还原反应。
23.在一些实施例中，所述激光为红外激光，所述第一互连结构的材料和所述第二互连结构的材料均为金属材料。
24.根据另一些实施例，本公开还提供了一种键合结构，包括：
25.第一晶圆，包括第一介质层、覆盖所述第一介质层的第一键合层、以及暴露于所述第一键合层的表面的第一导电层；
26.第二晶圆，包括第二介质层、覆盖所述第二介质层的第二键合层、以及暴露于所述第二键合层的表面的第二导电层，所述第一键合层与所述第二键合层键合连接，且所述第一导电层与所述第二导电层键合连接。
27.在一些实施例中，所述第一晶圆还包括第一垫片和第一互连结构，所述第一互连结构的一端与所述第一导电层电连接、另一端与所述第一垫片电连接，所述第一垫片用于接收激光能量；
28.所述第二晶圆还包括第二垫片和第二互连结构，所述第二互连结构的一端与所述第二导电层电连接、另一端与所述第二垫片电连接，所述第二垫片用于接收激光能量。
29.本公开一些实施例提供的键合方法及键合结构，在对待键合的第一晶圆和第二晶圆进行表面处理之后，形成覆盖第一晶圆中的第一介质层的第一键合层、以及覆盖第一晶圆中的第一导电层的第一处理层，并形成覆盖第二晶圆中的第二介质层的第二键合层、以及覆盖第二晶圆中的第二导电层的第二处理层，在键合第一晶圆和第二晶圆的工艺中，通过去除所述第一处理层和第二处理层，使得所述第一键合层与所述第二键合层键合，同时所述第一导电层与所述第二导电层键合，从而在混合键合工艺中既增强了第一介质层与第
二介质层之间的键合强度，也增强了第一导电层与第二导电层之间的键合强度，实现了对键合结构整体键合强度的提高，改善了键合结构的性能。本公开另一些实施例在去除第一处理层和第二处理层的过程中，仅对第一导电层和第二导电层进行热处理，避免了对第一晶圆中器件结构的损伤、以及第二晶圆中器件结构的损伤，从而减少了键合结构内部缺陷的产生，进一步改善了键合结构的性能。
附图说明
30.附图1是本公开具体实施方式中键合方法的流程图；
31.附图2-附图7是本公开具体实施方式在键合第一晶圆和第二晶圆的过程中主要的工艺结构示意图。
具体实施方式
32.下面结合附图对本公开提供的键合方法及键合结构的具体实施方式做详细说明。
33.本具体实施方式提供了一种键合方法，附图1是本公开具体实施方式中键合方法的流程图，附图2-附图7是本公开具体实施方式在键合第一晶圆和第二晶圆的过程中主要的工艺结构示意图。如图1-图7所示，所述键合方法，包括如下步骤：
34.步骤s11，提供第一晶圆w1和第二晶圆w2，所述第一晶圆w1包括第一介质层21、以及暴露于所述第一介质层21的表面的第一导电层23，所述第二晶圆w2包括第二介质层31、以及暴露于所述第二介质层31的表面的第二导电层33，如图2所示，其中，图2中的(a)为第一晶圆w1的截面示意图，图2中的(b)为第二晶圆w2的截面示意图；
35.步骤s12，对所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2进行表面处理，形成覆盖所述第一介质层21的第一键合层40、以及覆盖所述第一导电层23的第一处理层41，并形成覆盖所述第二介质层31的第二键合层42、以及覆盖所述第二导电层33的第二处理层43，如图3所示，其中，图2中的(a)为对第一晶圆w1进行表面处理之后的截面示意图，图2中的(b)为对第二晶圆w2进行表面处理之后的截面示意图；
36.步骤s13，去除所述第一处理层41和所述第二处理层43，并键合连接所述第一键合层40与所述第二键合层42，以及键合连接所述第一导电层23和所述第二导电层33，如图7所示。
37.在一些实施例中，对所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2进行表面处理的具体步骤包括：
38.在含氮气氛下对所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2进行表面处理，形成所述第一键合层40、所述第一处理层41、所述第二键合层42和所述第二处理层43。
39.具体来说，如图2中的(a)所示，所述第一晶圆w1包括第一衬底20、位于所述第一衬底20上表面的第一器件层22、位于所述第一器件层22上表面的所述第一介质层21、以及暴露于所述第一介质层21的上表面的所述第一导电层23。所述第一衬底20可以是但不限于硅衬底，本具体实施方式以所述第一衬底20为硅衬底为例进行说明。在其他实施例中，所述第一衬底20还可以为氮化镓、砷化镓、碳化镓、碳化硅或soi等半导体衬底。所述第一衬底20的上表面是指所述第一衬底20朝向所述第一介质层21的表面。所述第一器件层22中包括第一器件结构24，所述第一器件结构24可以为存储单元结构、控制电路结构、晶体管结构等任意
器件结构。所述第一介质层21覆盖于所述第一器件层22的上表面(即所述第一器件层22背离所述第一衬底20的表面)。在一示例中，所述第一介质层21的材料可以为二氧化硅等绝缘介质材料。所述第一导电层23的材料可以为铜等金属材料，且所述第一导电层23至少部分暴露于所述第一介质层21的上表面(即所述第一介质层21背离所述第一器件层22的表面)。如图2中的(b)所示，所述第二晶圆w2包括第二衬底30、位于所述第二衬底30上表面的第二器件层32、位于所述第二器件层32上表面的所述第二介质层31、以及暴露于所述第二介质层31的上表面的所述第二导电层33。所述第二衬底30可以是但不限于硅衬底，本具体实施方式以所述第二衬底30为硅衬底为例进行说明。在其他实施例中，所述第二衬底30还可以为氮化镓、砷化镓、碳化镓、碳化硅或soi等半导体衬底。所述第二衬底30的上表面是指所述第二衬底30朝向所述第二介质层31的表面。所述第二器件层32中包括第二器件结构34，所述第二器件结构34可以为存储单元结构、控制电路结构、晶体管结构等任意器件结构。所述第二介质层31覆盖于所述第二器件层32的上表面(即所述第二器件层32背离所述第二衬底30的表面)。在一示例中，所述第二介质层31的材料可以为二氧化硅等绝缘介质材料。所述第二导电层33的材料可以为铜等金属材料，且所述第二导电层33至少部分暴露于所述第二介质层31的上表面(即所述第二介质层31背离所述第二器件层32的表面)。
40.在对所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2进行表面处理的过程中，可以将所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2置于表面处理腔室中，采用含氮气氛对所述第一晶圆w1中所述第一介质层21的表面和所述第一导电层23的表面进行处理，并对所述第二晶圆w2中所述第二介质层31的表面和所述第二导电层33的表面进行处理，使得所述第一介质层21、所述第一导电层23、所述第二介质层31和所述第二导电层33均与所述含氮气氛发生化学反应，形成覆盖所述第一介质层21的所述第一键合层40、以及覆盖所述第一导电层23的所述第一处理层41，并形成覆盖所述第二介质层31的所述第二键合层42、以及覆盖所述第二导电层33的所述第二处理层43，如图3所示。在一示例中，所述含氮气氛为含有n2、nh3、nh4、no中的任一种或者两种以上的组合的气氛。通过形成所述第一键合层40和所述第二键合层42，在所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2键合之后，能够增强所述第一介质层21与所述第二介质层31之间的结合强度，即增强所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2之间的键合强度。
41.以下以所述第一介质层21的材料和所述第二介质层31的材料均为二氧化硅、所述第一导电层23的材料和所述第二导电层33的材料均为铜为例进行说明。在采用含氮气氛对所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2进行表面处理之后，在所述第一介质层21表面形成材料为氮氧化硅的所述第一键合层40，在所述第一导电层23的表面形成材料为氮化铜的所述第一处理层41，在所述第二介质层31表面形成材料为氮氧化硅的所述第二键合层42，并在所述第二导电层33的表面形成材料为氮化铜的所述第二处理层43。氮氧化硅与氮氧化硅之间的键合强度强于二氧化硅与二氧化硅之间的键合强度，因而能够通过表面处理增强后续所述第一晶圆w1与所述第二晶圆w2键合之后所述第一介质层21与所述第二介质层31之间的键合强度。
42.在一些实施例中，去除所述第一处理层41和所述第二处理层43，并键合连接所述第一键合层40与所述第二键合层42，以及键合连接所述第一导电层23和所述第二导电层33的具体步骤包括：
43.去除所述第一处理层41和所述第二处理层43，如图4所示，其中，图4中的(a)为除
去所述第一晶圆w1上的所述第一处理层41之后的截面示意图，图4中的(b)为除去所述第二晶圆w2上的所述第二处理层43之后的截面示意图；
44.键合所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2，使得所述第一键合层40与所述第二键合层42键合连接、所述第一导电层23与所述第二导电层33键合连接，如图7所示。
45.在一些实施例中，去除所述第一处理层41和所述第二处理层43的具体步骤包括：
46.采用激光仅照射所述第一处理层41和所述第二处理层43，使得所述第一处理层41和所述第二处理层43均发生还原反应。
47.举例来说，在键合所述第一晶圆w1与所述第二晶圆w2之前，可以采用激光发射器50朝向所述第一处理层41和所述第二处理层43发射第一激光信号51，通过所述第一激光信号51使得所述第一处理层41的温度升高、并使得所述第二处理层43的温度升高，从而使得所述第一处理层41和所述第二处理层43发生还原反应，如图4所示。其中，图4中的(a)为通过激光照射去除所述第一晶圆w1上的所述第一处理层41之后的截面示意图，图4中的(b)为通过激光照射去除所述第二晶圆w2上的所述第二处理层43之后的截面示意图。举例来说，当所述第一处理层41的材料和所述第二处理层43的材料均为氮化铜时，通过所述第一激光信号51照射之后，氮化铜被还原为铜，从而实现所述第一处理层41和所述第二处理层43的去除。由于所述第一处理层41和所述第二处理层43会降低所述第一导电层23和所述第二导电层33之间的结合强度，通过去除所述第一处理层41和所述第二处理层43，从而能够增大所述第一导电层23和所述第二导电层33之间的键合强度。
48.在一示例中，如图4所示，所述激光发射器50直接朝向所述第一处理层41和所述第二处理层43发射所述第一激光信号51，即所述第一激光信号51直接照射所述第一处理层41和所述第二处理层43，从而提高所述第一处理层41和所述第二处理层43的升温效率，减少热量的损失。
49.在另一示例中，所述第一晶圆w1中还包括第一垫片25和第一互连结构，所述第一垫片25位于所述第一衬底20背离所述第一介质层21的一侧，所述第一互连结构的一端与所述第一垫片25电连接、另一端与所述第一导电层23电连接。举例来说，所述第一互连结构包括第一连接柱27、第二连接柱28和第一转接层26，所述第一连接柱27贯穿所述第一衬底20和所述第一器件层22，所述第一转接层26位于所述第一器件层22的上表面，所述第一连接柱27的一端电连接所述第一垫片25、另一端电连接所述第一转接层26。所述第二连接柱28贯穿所述第一介质层21，且所述第二连接柱28的一端电连接所述第一转接层26、另一端电连接所述第一导电层23。所述激光发射器50朝向所述第一垫片25发射的所述第一激光信号51，使得所述第一垫片25的温度升高并产生热量，所述第一垫片25中产生的热量依次通过所述第一连接柱27、所述第一转接层26、所述第二连接柱28和所述第一导电层23传递至所述第一处理层41，使得所述第一处理层41的温度升高，进而使得所述第一处理层41因发生还原反应而被去除。所述第二晶圆w2中还包括第二垫片35和第二互连结构，所述第二垫片35位于所述第二衬底30背离所述第二介质层31的一侧，所述第二互连结构的一端与所述第二垫片35电连接、另一端与所述第二导电层33电连接。举例来说，所述第二互连结构包括第三连接柱37、第四连接柱38和第二转接层36，所述第三连接柱37贯穿所述第二衬底30和所述第二器件层32，所述第二转接层36位于所述第二器件层32的上表面，所述第三连接柱37的一端电连接所述第二垫片35、另一端电连接所述第二转接层36。所述第四连接柱38贯穿
所述第二介质层31，且所述第四连接柱38的一端电连接所述第二转接层36、另一端电连接所述第二导电层33。所述激光发射器50朝向所述第二垫片35发射的所述第一激光信号51，使得所述第二垫片35的温度升高并产生热量，所述第二垫片35中产生的热量依次通过所述第三连接柱37、所述第二转接层36、所述第四连接柱38和所述第二导电层33传递至所述第二处理层43，使得所述第二处理层43的温度升高，进而使得所述第二处理层43因发生还原反应而被去除。
50.本具体实施方式中的所述第一激光信号51仅直接照射所述第一处理层41和所述第二处理层43，或者所述第一激光信号51的热量仅通过所述第一互连结构和所述第二互连结构传递至所述第一处理层41和所述第二处理层43，即所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2仅局部升温，使得在能够去除所述第一处理层41和所述第二处理层43的同时，还能够避免激光产生的热量对所述第一晶圆w1中的所述第一器件结构24和所述第二晶圆w2中的所述第二器件结构34造成损伤，确保了所述第一器件结构24和所述第二器件结构34性能的稳定性。
51.在去除所述第一处理层41和所述第二处理层43之后，以所述第一介质层21朝向所述第二介质层31的方向键合所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2，使得所述第一键合层40与所述第二键合层42键合连接，所述第一导电层23与所述第二导电层33键合连接，如图7所示。在一示例中，所述第一晶圆w1中的所述第一导电层23的表面具有碟形凹陷，所述第二晶圆w2中的所述第二导电层33的表面也具有碟形凹陷，从而使得在所述第一晶圆w1与所述第二晶圆w2键合之后，所述第一导电层23与所述第二导电层33之间具有一间隙(例如空气隙)。为了进一步增强所述第一导电层23与所述第二导电层33之间的键合强度，在键合所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2之后，还可以采用第二激光信号53照射所述第一垫片25和所述第二垫片35，使得所述第二激光信号53的热量能够通过所述第一垫片25和所述第一互连结构传输至所述第一导电层23，并能够通过所述第二垫片35和所述第二互连结构传输至所述第二导电层33，以对所述第一导电层23和所述第二导电层33进行退火处理，如图5所示。通过所述退火处理，使得所述第一导电层23朝向所述第二导电层33膨胀、且所述第二导电层33朝向所述第一导电层23膨胀，直至填充满所述第一导电层23与所述第二导电层33之间的间隙，如图7所示，以进一步增强所述第一导电层23与所述第二导电层33之间的键合强度。
52.在另一些实施例中，去除所述第一处理层41和所述第二处理层43，并键合连接所述第一键合层40与所述第二键合层42，以及键合连接所述第一导电层23和所述第二导电层33的具体步骤包括：
53.键合所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2，使得所述第一键合层40与所述第二键合层42键合连接、所述第一处理层41与所述第二处理层43键合连接，如图6所示；
54.去除所述第一处理层41和所述第二处理层43，并电连接所述第一导电层23和所述第二导电层33。
55.在一些实施例中，去除所述第一处理层41和所述第二处理层43的具体步骤包括：
56.采用激光退火工艺去除所述第一处理层41和所述第二处理层43。
57.在一些实施例中，所述第一晶圆w1还包括第一互连结构，所述第一互连结构与所述第一导电层23背离所述第一处理层41的一侧连接，所述第二晶圆w2还包括第二互连结
构，所述第二互连结构与所述第二导电层33背离所述第二处理层43的一侧连接；采用激光退火工艺去除所述第一处理层41和所述第二处理层43的具体步骤包括：
58.采用激光照射所述第一互连结构背离所述第一导电层23的一侧和所述第二互连结构背离所述第二导电层33的一侧，使得所述第一处理层41和所述第二处理层43均发生还原反应。
59.举例来说，在以所述第一介质层21朝向所述第二介质层31的方向键合所述第一晶圆w1与所述第二晶圆w2之后，所述第一键合层40与所述第二键合层42键合连接、所述第一处理层41与所述第二处理层43键合连接，如图6所示。之后，对键合后的所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2进行局部退火处理。在局部退火处理的过程中，朝向所述第一垫片25发射的第三激光信号60，使得所述第一垫片25的温度升高并产生热量，所述第一垫片25中产生的热量依次通过所述第一连接柱27、所述第一转接层26、所述第二连接柱28和所述第一导电层23传递至所述第一处理层41，使得所述第一处理层41的温度升高，进而使得所述第一处理层41因发生还原反应而被去除。同时，朝向所述第二垫片35发射的所述第三激光信号60，使得所述第二垫片35的温度升高并产生热量，所述第二垫片35中产生的热量依次通过所述第三连接柱37、所述第二转接层36、所述第四连接柱38和所述第二导电层33传递至所述第二处理层43，使得所述第二处理层43的温度升高，进而使得所述第二处理层43因发生还原反应而被去除。在所述第一处理层41和所述第二处理层43被去除之后，还可以继续朝向所述第一垫片25和所述第二垫片35发射的第三激光信号60，使得具有碟形凹陷的所述第一导电层23朝向所述第二导电层33膨胀、且具有碟形凹陷的所述第二导电层33朝向所述第一导电层23膨胀，直至填充满所述第一导电层23与所述第二导电层33之间的间隙，如图7所示，以进一步增强所述第一导电层23与所述第二导电层33之间的键合强度。
60.本具体实施方式中的所述第三激光信号60的热量仅通过所述第一互连结构和所述第二互连结构传递至所述第一导电层23、所述第二导电层33、所述第一处理层41和所述第二处理层43，即所述第一晶圆w1和所述第二晶圆w2仅进行局部退火处理，使得在能够去除所述第一处理层41和所述第二处理层43的同时，还能够避免激光产生的热量对所述第一晶圆w1中的所述第一器件结构24和所述第二晶圆w2中的所述第二器件结构34造成损伤，确保了所述第一器件结构24和所述第二器件结构34性能的稳定性。
61.在一些实施例中，所述激光为红外激光，所述第一互连结构的材料和所述第二互连结构的材料均为金属材料。在一示例中，所述第一激光信号51、所述第二激光信号53和所述第三激光信号60均为波长为980nm的红外激光信号，以提高所述第一处理层41和所述第二处理层43的去除效率。
62.本具体实施方式还提供了一种键合结构，其结构可以参见图7。本具体实施方式提供的键合结构可以采用如图1-图7所示的键合方法形成。如图7所示，所述键合结构，包括：
63.第一晶圆w1，包括第一介质层21、覆盖所述第一介质层21的第一键合层40、以及暴露于所述第一键合层40的表面的第一导电层23；
64.第二晶圆w2，包括第二介质层31、覆盖所述第二介质层31的第二键合层42、以及暴露于所述第二键合层42的表面的第二导电层33，所述第一键合层40与所述第二键合层42键合连接，且所述第一导电层23与所述第二导电层33键合连接。
65.在一些实施例中，所述第一晶圆w1还包括第一垫片25和第一互连结构，所述第一
互连结构的一端与所述第一导电层23电连接、另一端与所述第一垫片25电连接，所述第一垫片25用于接收激光能量；
66.所述第二晶圆w2还包括第二垫片35和第二互连结构，所述第二互连结构的一端与所述第二导电层33电连接、另一端与所述第二垫片35电连接，所述第二垫片35用于接收激光能量。
67.本具体实施方式一些实施例提供的键合方法及键合结构，在对待键合的第一晶圆和第二晶圆进行表面处理之后，形成覆盖第一晶圆中的第一介质层的第一键合层、以及覆盖第一晶圆中的第一导电层的第一处理层，并形成覆盖第二晶圆中的第二介质层的第二键合层、以及覆盖第二晶圆中的第二导电层的第二处理层，在键合第一晶圆和第二晶圆的工艺中，通过去除所述第一处理层和第二处理层，使得所述第一键合层与所述第二键合层键合，同时所述第一导电层与所述第二导电层键合，从而在混合键合工艺中既增强了第一介质层与第二介质层之间的键合强度，也增强了第一导电层与第二导电层之间的键合强度，实现了对键合结构整体键合强度的提高，改善了键合结构的性能。本具体实施方式另一些实施例在去除第一处理层和第二处理层的过程中，仅对第一导电层和第二导电层进行热处理，避免了对第一晶圆中器件结构的损伤、以及第二晶圆中器件结构的损伤，从而减少了键合结构内部缺陷的产生，进一步改善了键合结构的性能。
68.以上所述仅是本公开的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本公开原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本公开的保护范围。