一种高精度cmp修整盘制造方法及设备
技术领域
1.本发明涉及全降解复合材料技术领域，更具体地说，涉及一种高精度cmp修整盘制造方法及设备。
背景技术：
2.cmp(chemical mechanical polishing，化学机械抛光)是半导体制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。晶圆制造过程主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化。作为晶圆制造的关键制程工艺之一，化学机械抛光指的是，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化。
3.由于目前集成电路元件普遍采用多层立体布线，集成电路制造的前道工艺环节需要进行多层循环。在此过程中，需要通过cmp工艺实现晶圆表面的平坦化。简单的理解，如果把芯片制造过程比作建造高层楼房，每搭建一层楼都需要让楼层足够平坦齐整，才能在其上方继续搭建另一层，否则楼面就会高低不平，影响整体性能和可靠性。而cmp就是能有效令集成电路的“楼层”达到纳米级全局平整的一种关键工艺技术。
4.cmp过程中需要用到抛光液、抛光垫、修整盘、清洗液等耗材，其中修整盘是cmp的催生者，控制晶圆与抛光垫的接触面积，使抛光垫表面产生大小适中及分布均匀的绒毛。修整盘顶点高度的分布控制了金刚石刺入抛光垫的深度分布，影响了cmp各种性能，是控制cmp性能的关键耗材。传统修整盘工艺以立足式对齐方法对齐金刚石，虽然金刚石植布数量较多，但实际工作金刚石数量仅为1％，约300至500颗左右，且粒度小，工作不稳定、易脱落。
技术实现要素：
5.本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种高精度cmp修整盘制造方法及设备。
6.本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
7.构造一种高精度cmp修整盘制造方法及设备，包括准备物料步骤、植入金刚石步骤、配制烧结料步骤、制备胎体粉末步骤、制备胎体步骤、胎体脱脂步骤和胎体烧结步骤，其中：
8.s01、准备物料步骤，准备好反铸模具，所述反铸模具包括限位环、限位板和限位器，其中，所述限位板和限位环设置在限位器上，所述限位板设置在限位环底部，限位板上设有多个位于限位环内圈通孔；
9.s02、植入金刚石步骤，对金刚石进行筛选，选择对应通孔尺寸的金刚石，逐个在所有通孔中植入经过筛选的金刚石；
10.s03、配制烧结料步骤，烧结料由如下重量份数的原料配制而成：8-15份ti、7-13份cr、2-4份w、3-7份si、30-35份cu、27-34份fe、25-31份co、24-36份al2o3和10-25份氧化石墨烯；
11.s04、制备胎体粉末步骤，将烧结料制备成200-300目的球形粉末，得到胎体粉末；
12.s05、制备胎体步骤，将胎体粉末造粒后填入限位环与限位板形成的腔体中，压力机对胎体粉末进行压制，胎体粉末经压力机压制后得到粉末压坯；
13.s06、胎体脱脂步骤，将所述粉末压坯放入脱脂炉中进行热脱脂，脱脂冷却完成后得到脱脂胎体；
14.s07、胎体烧结步骤，将脱脂胎体放入管式烧结炉中，采用压力烧结工艺对脱脂坯体烧结后得到烧结体，烧结体冷却后将压力机收回，将烧结体与反铸模具分离，得到成品。
15.优选的，在s03中，ti、cr、w、si和cu在烧结料中所占的比例为4.3％～18.4％，fe、co、al2o3和氧化石墨烯在烧结料中所占的比例为81.6％～95.7％。
16.优选的，在s01中，限位环的外径为10～40mm，厚度为0.3～2.0mm，长度为5～16mm；通孔的数量为200～300个，通孔的孔径为0.3～1.5mm，多个通孔阵列分布，横纵向两通孔的间距为1.0～3.0mm；限位器的厚度为0.5～2.0mm，长度为1.0～4.0cm，宽度为2.0～4.0cm。
17.优选的，在s02中，金刚石的晶面为111面，目数为20-100。
18.优选的，在s04中，通过球磨机将烧结料研磨成200-300目的粉末，具体将烧结料在球料比小于8:1、装填系数小于0.5、球磨转速120rpm-260rpm、温度＜50℃的条件下，按照球每4～6min反转一次的方式球磨2～4h，球磨后的烧结料静止时间不超过2小时，球磨机以8mm氧化锆球为球磨磨球，采用氩气保护气氛进行干式球磨。
19.优选的，在s04中，采用气雾化法将烧结料制备成胎体粉末原料，胎体粉末原料中的氧含量不大于0.15％(重量百分比)。
20.优选的，在s05中，压力机对胎体粉末进行压制时压力为60mpa，保压时间6秒，压力机上的压力片为与限位环的内径相同的圆片。
21.优选的，在s06中，粉末压坯脱脂时的最高温脱脂温度为460℃，最高温脱脂保温时间为25分钟；粉末压坯脱脂时在0至300℃温区采用30℃/h的升温速率进行升温，在300℃至400℃温区采用23℃/h的升温速率进行升温，在400℃至460℃温区采用52℃/h的升温速率进行升温。
22.优选的，在s07中，脱脂胎体烧结时的烧结温度为880-920℃，烧结压力为15.1mpa-15.2mpa，烧结时间为2-6分钟。
23.本发明还提供了一种高精度cmp修整盘设备，该设备基于前述高精度cmp修整盘的制造方法制造而成。
24.本发明的有益效果在于：现有技术cmp修正盘的结合部分采用的材料为树脂，树脂无论在任何情况下注入都很难避免产生气泡，导致cmp修正盘圆柱体内气孔率较高，影响整个成品的硬度和磨损性能。本发明利用的是金属合金烧结，不会产生气泡，其次金属与合金的硬度、结合都都远强于树脂，同时金属无需考虑溢出等问题，可以精确地设计高度与边缘。胎体粉末主要由金属粉末构成，因此具有很高的压制成型性和压制强度，成型时不易出现分层和崩缺。并且具有较好的烧结活性和烧结致密性能。此外，胎体粉末与金刚石之间具有高温化学惰性，烧结时不会出现金刚石颗粒原料的高温碳化。
25.本发明的cmp修正盘具有良好的散热性能和抗磨屑磨损能力；烧结料中co的加入确保了粉末烧结体的耐高温能力，cu的加入则增加了粉末烧结体的导热性，ti的加入确保了烧结体对于金刚石的把持能力，cr的加入同时加入的氧化石墨烯确保了粉末烧结体优良
的散热能力，以及使用较低的温度最大程度避免金刚石在高温时所受的损伤，加入氧化石墨烯有利于cr发挥其优良性能的同时不会对金刚石表面进行损伤。
附图说明
26.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，下面描述中的附图仅仅是本发明的部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图：
27.图1是本发明实施例的高精度cmp修整盘制造方法的步骤图；
28.图2是本发明施例的高精度cmp修整盘设备及制造工具剖视结构图
29.图3是本发明施例的高精度cmp修整盘设备结构示意图。
具体实施方式
30.为了使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
31.除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
32.实施例1
33.高精度cmp修整盘及其制造方法的步骤如图1所示，高精度cmp修整盘制造工具参阅图2-3，包括准备物料步骤、植入金刚石步骤、配制烧结料步骤、制备胎体粉末步骤、制备胎体步骤、胎体脱脂步骤和胎体烧结步骤，本发明制造高精度cmp修整盘的工具为：限位环、限位器、限位板、球磨机、压力机、氢气网带炉和管式烧结炉，cmp修整盘的原料为金刚石和烧结料。制造方法的具体步骤为：
34.s01、准备物料步骤，准备好反铸模具1，反铸模具1包括限位环11、限位板12和限位器，其中，限位板12和限位环11设置在限位器上，限位板设置在限位环底部，限位板12上设有多个位于限位环内圈通孔121。限位环的作用是为了限制烧结料注入的高度和位置，限位板与限位环连接在一起，限位器的作用是使金刚石铺得平整且规则，起到固定金刚石和对齐高度的作用，解决了传统修整盘中表面金刚石磨粒高度不一和颗粒分布不均的问题。可以在限位器上设置与通孔对应的凹槽，金刚石从通孔中植入后，接触到凹槽即停止，凹槽的设置便于分离限位板和限位器，有利于从反铸模具中取出成品。限位板、限位环和限位器之间通过夹具固定，需要从反铸模具中取出成品时可以将限位器分离，在将限位板分离，使金刚石脱离通孔，最后再将限位环与成品分离，得到成品。通孔的作用是使金刚石铺得平整且规则，起到固定金刚石和对齐高度的作用，解决了传统修整盘中表面金刚石磨粒高度不一
和颗粒分布不均的问题。限位环为修整盘的盘基，可根据需要设计大小。限位板的作用是在后续夹紧的过程中使限位器平展，易于植入金刚石。限位板的要求是传热效率高，受热后不变形，不与其他组件粘连。限位器以及通孔的具体形状尺寸可根据需求自由设计，同时所用金刚石的形状尺寸也会和通孔的形状尺寸相匹配对应。
35.s02、金刚石2植入步骤，对金刚石2进行筛选，选择对应通孔尺寸的金刚石，从限位板12上逐个在所有通孔121中植入经过筛选的金刚石2；对金刚石进行筛选的目的是最大程度确保筛选出的同一规格的金刚石间颗粒尺寸和形状相似，在后续组装过程中保证cmp修整盘表面拥有更高的平整度，金刚石选型机的规格指标和通孔相匹配。利用点钻机将金刚石从模具背面逐个植入通孔中，接触到限位器即停止。在利用点钻机将植入金刚石反铸模具前，通过喷砂清理反铸模具表面，并利用酸、碱净化金刚石表面；防止前次使用过程中在模具表面生成的污垢影响产品外观，影响产品外缘尺寸的精度，确保模具能正常使用。
36.s03、配制烧结料步骤，烧结料由如下重量份数的原料配制而成：8-15份ti、7-13份cr、2-4份w、3-7份si、30-35份cu、27-34份fe、25-31份co、24-36份al2o3和10-25份氧化石墨烯。co的加入确保了粉末烧结体的耐高温能力，cu的加入则增加了粉末烧结体的导热性，ti的加入确保了烧结体对于金刚石的把持能力，cr的加入同时加入的氧化石墨烯确保了粉末烧结体优良的散热能力，以及使用较低的温度最大程度避免金刚石在高温时所受的损伤，加入氧化石墨烯有利于cr发挥其优良性能的同时不会对金刚石表面进行损伤。
37.s04、制备胎体粉末步骤，将烧结料制备成200-300目的球形粉末，得到胎体粉末；可以采用气雾化制备和球磨制备两种制备工艺将烧结料制备成球形粉末，也可以先采用气雾化工艺对烧结料进行制备得到气雾化球形粉末，再通过球磨工艺对气雾化球形粉末进行研磨。
38.s05、制备胎体步骤，将胎体粉末造粒后填入限位环11与限位板12形成的腔体中，压力机对胎体粉末进行压制，胎体粉末经压力机压制后得到粉末压坯；造粒的方式为将胎体粉末加入20-30聚乙烯醇并混合均匀。
39.s06、胎体脱脂步骤，将粉末压坯放入脱脂炉中进行热脱脂，脱脂冷却完成后得到脱脂胎体；脱脂和压制可以同时进行，具体的，将所述粉末烧结体压坯放入脱脂炉中进行热脱脂，利用压力机在压力15-20mpa的情况下压制粉末烧结体压坯，脱脂完成后冷却得到脱脂压坯。
40.s07、胎体烧结步骤，将脱脂胎体放入管式烧结炉中，采用压力烧结工艺对脱脂坯体烧结后得到烧结体，烧结体冷却后将压力机收回，将烧结体与反铸模具1分离，得到成品。将脱脂压坯放入管式烧结炉，采用压力烧结工艺烧结得到烧结体，烧结温度为850-950℃，烧结压力为10-24mpa，烧结时间为2-10分钟；压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
41.在组装抛光垫修整盘的过程中先将限位器置于限位板下，其中限位板带有若干通孔。限位板起到支撑固定限位环的作用，通孔是为了更好的配合反铸法的使用，通孔的尺寸可根据不同的需求进行调整。限位板上设置的通孔可根据具体的产品需求进行更改。限位环的作用为在方便组注入烧结料的同时，为修整盘提供一定的支撑结构，也可使用于控制烧结料的高度，达到有更高工作钻石数的目的。通孔的设计可以使植入金刚石过程更加简便，可以使其金刚石面露出高度统一，有较大的活动空间。
42.传统的抛光垫修整盘上有10000颗金刚石，其中工作钻石仅有500颗，利用率为5％左右，本发明专利采用“反铸法”、通孔限位环、限位板和限位器相结合的方法，使提升工作钻石数的同时，能保障修整盘的强度，同时还可针对不同的生产需求较为便捷的对修整盘进行调整，降低了生产成本。此外，本方法制作的修整盘工作钻石数更多，且不易脱落可满足更高要求的化学机械平坦化需求。提高了金刚石的利用率，使修整盘的金刚石利用率60％左右，有效降低了制作成本。金刚石不易脱落，高度分布均匀。本发明的修整盘切削率更高且不会对抛光垫产生不利影响，满足更高工艺标准的需求。
43.传统修整盘采用的立足式对齐法则是在金属盘上通过某些方法直接附着金刚石磨粒，大概率会造成金刚石磨粒分布很不均匀、高度不一且不规律。修整盘工作时，高度最高的金刚石接触抛光设备，所以采用立足式对齐法制造的传统修整盘工作的金刚石数量极少，工作效率低且成本高。本发明所采用的反铸法是先使用限位器对金刚石对齐固定，再注入胎体粉末原料，是一种倒装工艺，对齐效果更好。
44.现有技术cmp修整盘的结合部分采用的材料为树脂，树脂无论在任何情况下注入都很难避免产生气泡，导致cmp修正盘圆柱体内气孔率较高，影响整个成品的硬度和磨损性能。本发明利用的是金属合金烧结，不会产生气泡，其次金属与合金的硬度、结合都都远强于树脂，同时金属无需考虑溢出等问题，可以精确地设计高度与边缘。胎体粉末主要由金属粉末构成，因此具有很高的压制成型性和压制强度，成型时不易出现分层和崩缺。并且具有较好的烧结活性和烧结致密性能。此外，胎体粉末与金刚石之间具有高温化学惰性，烧结时不会出现金刚石颗粒原料的高温碳化。
45.本发明采用顶点对齐的方式，采用大颗粒钻石作为原料，且对金刚石进行有序排布，从而保证合理的金刚石裸露高度和合理的间距，提升修整盘的工作钻石的数量，既提高修整盘的加工效率，又延长了修整盘的使用寿命，同时减小了金刚石浓度，降低了成本。
46.本发明还在烧结料中加入了石墨烯，在不影响原金属配比的基础上增添了导热性能更强的物质。由于烧结过程中主要的就是要将金属互相熔化，但烧结温度过高会导致一部分金属发生反应，因此通过加入石墨烯可以在不进一步升高烧结温度的情况下，使得金属原料可以在安全范围高效的互相熔化成成品。
47.如图1所示，在s03中，ti、cr、w、si和cu在烧结料中所占的比例为4.3％～18.4％，fe、co、al2o3和氧化石墨烯在烧结料中所占的比例为81.6％～95.7％。fe、co、al2o3和氧化石墨烯在烧结过程中主要发挥导热和结合作用，ti、cr、w、si和cu作为催化或形成复合金属的原料。
48.如图2-3所示，在s01中，限位环11的外径为10～40mm，厚度为0.3～2.0mm，长度为5～16mm；通孔的数量为200～300个，通孔的孔径为0.3～1.5mm，多个通孔阵列分布，横纵向两通孔的间距为1.0～3.0mm；限位器13的厚度为0.5～2.0mm，长度为1.0～4.0cm，宽度为2.0～4.0cm。
49.如图2所示，在s02中，金刚石2的晶面为111面，目数为20-100。111面金刚石8面都为棱形，在此专利中不需要将不规整形状的金刚石翻转找到最突出的面植入限位板中，选用111型的金刚石每一个角的角度都相同，高度也相同，达到省去选用可利用面的这一步骤。同时由于111型金刚石的每个角凸起高度相同，在对于限制整个金刚石平面的突起高度时无需担心每一颗金刚石高度不同。
50.如图1所示，在s04中，在s04中，通过球磨机将烧结料研磨成200-300目的粉末，具体将烧结料在球料比小于8:1、装填系数小于0.5、球磨转速120rpm-260rpm、温度＜50℃的条件下，按照球每4～6min反转一次的方式球磨2～4h，球磨后的烧结料静止时间不超过2小时，球磨机以8mm氧化锆球为球磨磨球，采用氩气保护气氛进行干式球磨。球磨机定时翻转，有利于提高球体在盘式球磨机中滚动的随机性、保障球体各角度均匀受力、提高研磨质量。停止球磨后，利用容器缓慢盛出混合粉。在转运过程中避免震荡，防止出现粉料偏析。另外，球磨后混合粉静止时间不超过2小时，期间须尽快进行混合，以避免偏析。
51.如图1所示，在s04中，采用气雾化法将烧结料制备成胎体粉末原料，胎体粉末原料中的氧含量不大于0.15％(重量百分比)。
52.如图2所示，在s05中，压力机对胎体粉末进行压制时压力为60mpa，保压时间6秒，压力机上的压力片4为与限位环11的内径相同的圆片。
53.如图1所示，在s06中，粉末压坯脱脂时的最高温脱脂温度为460℃，最高温脱脂保温时间为25分钟；粉末压坯脱脂时在0至300℃温区采用30℃/h的升温速率进行升温，在300℃至400℃温区采用23℃/h的升温速率进行升温，在400℃至460℃温区采用52℃/h的升温速率进行升温。过低的升温速率导致样品容易塌陷等缺陷；过高的升温速率容易导致样品难以完全去除杂质。因此本发明采用多区间变速升温的方式，在保证升温速率的同时节约升温时间，过低的烧结温度和过短的烧结时间无法形成烧结颈且不能保证致密度，过高的烧结温度和过长的烧结时间容易形成粗晶而恶化性能。
54.如图1所示，在s07中，脱脂胎体烧结时的烧结温度为880-920℃，烧结压力为15.1mpa-15.2mpa，烧结时间为2-6分钟。采用加热装置加热，加热温度为880-920℃，加热时间不超过6分钟。最佳温度为895度，加热温度越高，所需加热时间越短。加热时间目前常用5分钟，加热的作用为加速烧结料的固化，同时避免损伤胎体。加热装置为烧结炉，事实上用其他加热方式都可以达到同样效果，只要温度相同即可。
55.在本实例中，对采用了不同的烧结料原料得到的修整盘进行了测试，设置了6组测试样本，每个不同的测试样本的烧结料原料如下表所示：
[0056][0057][0058]
测试结果如下表所示：
[0059][0060]
测试样本1采用本发明方法制作高精度cmp抛光垫修整盘：
[0061]
烧结料由如下重量份数的原料制备而成：7份cr、2份w、3份si、33份cu、30份fe、25份co、0份al2o3和18份氧化石墨烯；配置完成的烧结料经过球磨形成胎体粉末原料；在对胎体粉末进行造粒，并将造粒后胎体粉末填入反铸模具里，通过压力机压制成胎体，胎体经过脱脂、烧结和冷却后得到成品；获得的成品经过测试，测得金刚石脱落率为3.41％，金刚石损伤率为4.98％。
[0062]
测试样本2同样采用本发明方法制作高精度cmp抛光垫修整盘：
[0063]
烧结料由如下重量份数的原料制备而成：8份ti、7份cr、2份w、0份si、31份cu、0份fe、26份co、26份al2o3和18份氧化石墨烯；获得的成品经过测试，测得金刚石脱落率为0.68％，金刚石损伤率为3.26％。
[0064]
测试样本3同样采用本发明方法制作高精度cmp抛光垫修整盘：
[0065]
烧结料由如下重量份数的原料制备而成：8份ti、0份cr、3份w、5份si、32份cu、28份fe、0份co、24份al2o3和20份氧化石墨烯；获得的成品经过测试，测得金刚石脱落率为2.79％，金刚石损伤率为0.76％。
[0066]
测试样本4同样采用本发明方法制作高精度cmp抛光垫修整盘：
[0067]
烧结料由如下重量份数的原料制备而成：9份ti、0份cr、3.4份w、6份si、30.6份cu、25份fe、26份co、0份al2o3和13份氧化石墨烯；获得的成品经过测试，测得金刚石脱落率为
2.13％，金刚石损伤率为1.37％。
[0068]
测试样本5同样采用本发明方法制作高精度cmp抛光垫修整盘：
[0069]
烧结料由如下重量份数的原料制备而成：8份ti、7.3份cr、0份w、3.1份si、0份cu、29.5份fe、26.4份co、25.7份al2o3和16份氧化石墨烯；获得的成品经过测试，测得金刚石脱落率为0.34％，金刚石损伤率为5.41％。
[0070]
测试样本6同样采用本发明方法制作高精度cmp抛光垫修整盘：
[0071]
烧结料由如下重量份数的原料制备而成：10份ti、0份cr、3.3份w、5.1份si、32.6份cu、25份fe、24份co、0份al2o3和24份氧化石墨烯；通过本实施例获得的成品经过测试，测得金刚石脱落率为1.63％，金刚石损伤率为0.45％。
[0072]
不同原料的缺失会导致成品中缺失部分合金/合成体，这部分合成体基本都有着进一步加强结合能力和强度的作用，不同原料的配比和缺失导致了成品性能的差异。
[0073]
实施例2
[0074]
本发明高精度cmp修整盘设备，基于前述高精度cmp修整盘的制造方法制造而成，包括由烧结料烧结而成的圆柱体3，和多个嵌设在圆柱体3上的金刚石2。该cmp修整盘采用反铸法制作而成，制造工具为反铸模具，其通过通孔、限位环、限位板和限位器相结合的方法，使提升工作钻石数的同时，能保障修整盘的强度，同时还可针对不同的生产需求较为便捷的对修整盘进行调整，降低了生产成本。反铸法是先使用限位器对金刚石对齐固定，再注入胎体粉末原料，是一种倒装工艺，对齐效果更好。传统修整盘采用的立足式对齐法则是在金属盘上通过某些方法直接附着金刚石磨粒，大概率会造成金刚石磨粒分布很不均匀、高度不一且不规律。修整盘工作时，高度最高的金刚石接触抛光设备，所以采用立足式对齐法制造的传统修整盘工作的金刚石数量极少，工作效率低且成本高。
[0075]
本发明采用顶点对齐的方式，采用大颗粒钻石作为原料，且对金刚石进行有序排布，从而保证合理的金刚石裸露高度和合理的间距，提升修整盘的工作钻石的数量，既提高修整盘的加工效率，又延长了修整盘的使用寿命，同时减小了金刚石浓度，降低了成本。同时调整烧结料的配料，使得修整盘的硬度和金刚石的稳定性、粘着性更高。
[0076]
在加工硬脆材料时会产生大量的硬质磨屑和热量，该胎体具有良好的散热性能和抗磨屑磨损能力。因此，本发明的烧结金刚石修整盘可以在化学机械抛光中展示出优良的性能。
[0077]
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。