技术特征：
1.一种带反馈补偿的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，包括；单输入端，用以接收射频信号；单端输入转差分输出模块，电性连接至所述单输入端，用以将所述单输入端接收的多个射频信号转换为差分输出信号，所述单端输入转差分输出模块包括晶体管，不同晶体管之间采用共栅极共源极结构；优化模块，用以对所述差分输出信号进一步优化，所述优化模块与所述单端输入转差分输出模块电连接，所述优化模块包括晶体管，不同晶体管之间采用栅极源极耦合结构；反馈补偿模块，与所述单端输入转差分输出模块、所述优化模块电性连接，用于根据反馈结果补偿不同晶体管之间的直流电流。2.根据权利要求1所述的带反馈补偿的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，所述单端输入转差分输出模块包括第一晶体管与第二晶体管，第一控制信号控制所述第一晶体管与所述第二晶体管的栅极；所述第一晶体管的源极通过电感接地，所述第二晶体管的源极接地。3.根据权利要求2所述的带反馈补偿的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，所述优化模块包括第三晶体管、第四晶体管、第一电容以及第二电容；所述第三晶体管的源极与所述第一电容的第一极板相连接，所述第四晶体管的栅极与所述第一电容的第二极板相连接；所述第三晶体管的栅极与所述第二电容的第一极板相连接，所述第四晶体管的源极与所述第二电容的第二极板相连接。4.根据权利要求3所述的带反馈补偿的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，所述反馈补偿模块包括：放大器、第三电容以及第一pmos晶体。5.根据权利要求4所述的带反馈补偿的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，所述反馈补偿模块还包括：固定电流补偿模块，所述固定电流补偿模块包括，第二pmos晶体管。6.根据权利要求4所述的带反馈补偿的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，所述第三晶体管的漏极为差分输出的第一输出，所述第四晶体管的漏极为差分输出的第二输出。7.根据权利要求4所述的带反馈补偿的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，所述第三晶体管的源极与所述放大器的第二输入端口连接，所述第四晶体管的源极与所述放大器的第一输入端口连接；所述放大器的输出端口与所述第一pmos晶体管的栅极以及所述第三电容的第一极板相连接；所述第三电容的第二极板分别与所述第一pmos晶体管的源极以及电源相连接。8.根据权利要求5所述的带反馈补偿的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，第二控制信号控制所述第二pmos晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极连接至电源，所述第二pmos晶体管的漏极分别与所述第一pmos晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极以及所述第四晶体管的源极相连接。9.一种射频电路，其特征在于，所述射频电路包括：如权利要求1-8中任一所述的带反馈补偿的单端输入差分输出低噪声放大器。
10.一种无线通信系统，其特征在于，所述无线通信系统包括如权利要求9所述的射频电路。
技术总结
本申请公开一种带反馈补偿的单端输入差分输出低噪声放大器、射频电路及无线通信系统，包括；单输入端，用以接收射频信号；单端输入转差分输出模块，电性连接至所述单输入端，用以将所述单输入端接收的多个射频信号转换为差分输出信号，所述单端输入转差分输出模块包括晶体管，不同晶体管之间采用共栅极共源极结构；优化模块，用以对所述差分输出信号进一步优化，所述优化模块与所述单端输入转差分输出模块电连接，所述优化模块包括晶体管，不同晶体管之间采用栅极源极耦合结构；反馈补偿模块，与所述单端输入转差分输出模块以及所述优化模块电性连接，用于根据反馈结果补偿不同晶体管之间的直流电流。体管之间的直流电流。体管之间的直流电流。
技术研发人员：孙文
受保护的技术使用者：上海川土微电子有限公司
技术研发日：2023.06.27
技术公布日：2023/10/10