1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术：
2.oled(organic light emitting diode，有机发光二极管)显示面板是当今显示面板研究领域的热点之一，与液晶显示面板相比，oled显示面板具有低能耗、低成本、自发光、宽视角及响应速度快等优点。oled显示面板一般包括屏体、盖板、触控模组和偏光片等部件，在制备时，各部件通常单独来料，需要采用有机胶将各部件层叠粘附。然而，一方面，盖板在贴合过程中，易存在贴合气泡，导致显示面板可靠性降低；另一方面，显示面板的制备工艺比较繁杂，降低显示面板的制备效率；再一方面，显示面板的厚度较厚，不利于显示面板的轻薄化。
技术实现要素：
3.基于此，有必要针对上述问题中的至少一个，提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。
4.第一方面，本技术提供一种显示面板的制备方法，包括：
5.提供盖板；
6.于所述盖板上形成发光层组；
7.于所述发光层组上形成阵列层组。
8.上述显示面板的制备方法，通过将盖板作为显示面板的基板，并在盖板上形成发光层组和阵列层组，这样，一方面，在制备显示面板的过程中，无需将盖板和屏体(即：发光层组和阵列层组)进行贴合，不仅简化了制备工艺，提高了显示面板的制备效率，而且避免了盖板上的贴合气泡，提高了显示面板的可靠性；另一方面，相较于传统的显示面板，本技术中的盖板可以为屏体提供支撑，因此，可以去除传统显示面板中的支撑层，从而降低显示面板的厚度，进而利于显示面板的轻薄化。
9.在其中一个实施例中，所述提供盖板的步骤之后，以及所述于所述盖板上形成发光层组的步骤之前，包括：
10.于所述盖板上形成滤光层。
11.这样，在盖板上直接形成滤光层，无需将盖板和滤光层贴合，不仅简化了制备工艺，而且避免了盖板上的贴合气泡，提高了显示面板的可靠性。
12.在其中一个实施例中，所述提供盖板的步骤之后，以及所述于所述盖板上形成发光层组的步骤之前，包括：
13.于所述盖板上形成触控层。
14.这样，在盖板上直接形成触控层，无需将触控层和屏体贴合，不仅简化了制备工艺，而且可以去除触控层和屏体之间的粘接层，有利于降低显示面板的厚度。
15.在其中一个实施例中，所述于所述盖板上形成发光层组的步骤，包括：
16.于所述盖板上形成发光器件；
17.于所述发光器件上形成封装层。
18.这样，可以最大程度减少水汽和氧对发光器件的侵蚀，保证了发光器件的使用寿命。
19.优选地，所述于所述盖板上形成发光器件的步骤，包括：
20.于所述盖板上形成光取出层；
21.于所述光取出层上形成阴极；
22.于所述阴极上形成发光功能层；
23.于所述发光功能层上形成阳极。
24.优选地，所述于所述阴极上形成发光功能层的步骤，包括：
25.于所述阴极上形成电子注入层；
26.于所述电子注入层上形成电子传输层；
27.于所述电子传输层上形成空穴阻挡层；
28.于所述空穴阻挡层上形成发光层；
29.于所述发光层上形成空穴传输层；
30.于所述空穴传输层上形成空穴注入层。
31.在其中一个实施例中，所述于所述光取出层上形成阴极的步骤之后，所述于所述阴极上形成发光功能层的步骤之前，还包括：
32.于所述阴极上形成像素限定层。
33.在其中一个实施例中，所述于所述发光层组上形成阵列层组的步骤之后，包括：
34.于所述阵列层组上形成复合层。
35.这样，一方面可以对阵列层组形成保护作用，另一方面可以对阵列层组进行散热。
36.在其中一个实施例中，所述于所述发光层组上形成阵列层组的步骤，包括：
37.于所述发光层组上形成阵列衬底；
38.于所述阵列衬底上形成阵列膜层。
39.优选地，所述于所述发光层组上形成阵列衬底的步骤，包括：
40.于所述发光层组上形成氮化硅层；
41.于所述氮化硅层上形成半导体层；
42.于所述半导体层上形成氧化层；
43.优选地，所述于所述阵列衬底上形成阵列膜层的步骤，包括：
44.于所述阵列衬底上形成第一金属层；
45.于所述第一金属层上形成第一平坦化层；
46.于所述第一平坦化层上形成驱动电路层。
47.优选地，于所述第一平坦化层上形成驱动电路层的步骤，包括：
48.于所述第一平坦化层上形成第二金属层；
49.于所述第二金属层上形成第二平坦化层；
50.于所述第二平坦化层上形成第一绝缘层；
51.于所述第一绝缘层上形成第三金属层；
52.于所述第三金属层上形成第二绝缘层；
53.于所述第二绝缘层上形成第四金属层；
54.于所述第四金属层上形成介质层；
55.于所述介质层上形成第五金属层；
56.于所述第五金属层上形成第三绝缘层。
57.第二方面，本技术还提供一种显示面板，该显示面板包括盖板以及层叠设置于所述盖板上的发光层组和阵列层组，所述发光层组位于所述盖板与所述阵列层组之间；所述盖板被配置为所述显示面板的基板。
58.在其中一个实施例中，所述显示面板还包括复合层，所述复合层设置于所述阵列层组背离所述盖板的一侧；
59.优选地，所述显示面板还包括滤光层，所述滤光层设于所述盖板与所述发光层组之间；
60.优选地，所述显示面板还包括触控层，所述触控层设于所述滤光层与所述发光层组之间；
61.优选地，所述发光层组包括沿远离所述盖板方向层叠设置的发光器件和封装层，至少部分所述封装层位于所述发光器件背离所述盖板的一侧；
62.优选地，所述发光器件包括沿远离所述盖板方向层叠设置的阴极、发光功能层和阳极；
63.优选地，所述发光功能层包括沿远离所述盖板方向层叠设置的电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层以及空穴注入层；
64.优选地，所述显示面板还包括光取出层，所述光取出层设置于所述盖板与所述阴极之间；
65.优选地，所述阵列层组包括沿远离所述盖板方向层叠设置的阵列衬底和阵列膜层，所述阵列衬底设于所述阵列膜层和所述发光层组之间；
66.优选地，所述阵列衬底包括沿远离所述盖板方向层叠设置的氮化硅层、半导体层和氧化层；
67.优选地，所述阵列膜层包括沿远离所述盖板方向层叠设置的第一金属层、第一平坦化层和驱动电路层；
68.优选地，所述驱动电路层包括沿远离所述盖板方向层叠设置的第二金属层、第二平坦化层、第一绝缘层、第三金属层、第二绝缘层、第四金属层、介质层、第五金属层和第三绝缘层。
69.上述显示面板，通过将盖板作为显示面板的基板，并在盖板上形成发光层组和阵列层组，这样，一方面，在制备显示面板的过程中，无需将盖板和屏体(即：发光层组和阵列层组)进行贴合，不仅简化了制备工艺，提高了显示面板的制备效率，而且避免了盖板上的贴合气泡，提高了显示面板的可靠性；另一方面，相较于传统的显示面板，本技术中的盖板可以为屏体提供支撑，因此，可以去除传统显示面板中的支撑层，从而降低显示面板的厚度，进而利于显示面板的轻薄化。
70.第三方面，本技术实施例提供一种显示装置，该显示装置包括第二方面中任一实施例所述的显示面板。
71.本技术实施例提供的显示装置，一方面能够简化制备工艺，提高显示装置的制备
效率；另一方面有利于显示装置的轻薄化。
附图说明
72.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
73.图1为本技术一实施例提供的显示面板的制备方法的一种流程示意图。
74.图2为图1所示制备方法中s20的流程示意图。
75.图3为图1所示制备方法中s30的流程示意图。
76.图4为图3所示制备方法中s302的流程示意图。
77.图5为本技术一实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
78.图6为本技术一实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。
79.图7为图6所示显示面板的发光层组和盖板的结构示意图。
80.图8为图6所示显示面板的阵列层组的结构示意图。
81.图9-图15为图1所示制备方法过程中的示意图。
82.图16为本技术一实施例提供的一种盖板的示意图。
83.图17为本技术一实施例提供的另一种盖板的示意图。
84.图18至图25为本技术一实施例提供的显示面板的发光器件在制备过程中的结构示意图。
85.图26为本技术一实施例提供的显示装置的结构示意图。
86.附图标记说明：
87.1、显示装置；10、显示面板；11、盖板；12、发光层组；121、发光器件；1211、阴极；1212、发光功能层；12121、电子注入层；12122、电子传输层；12123、空穴阻挡层；12124、发光层；12125、空穴传输层；12126、空穴注入层；1213、阳极；122、封装层；123、第四绝缘层；124、光取出层；13、阵列层组；131、阵列衬底；1311、氮化硅层；1312、半导体层；1313、氧化层；132、阵列膜层；13201、第一金属层；13202、第一平坦化层；13203、第二金属层；13204、第二平坦化层；13205、第一绝缘层；13206、第三金属层；13207、第二绝缘层；13208、第四金属层；13209、介质层；13210、第五金属层；13211、第三绝缘层；14、滤光层；15、触控层；16、复合层；17、屏体；181、像素限定材料层；182、像素限定层；19、光刻胶；20、掩膜板。
具体实施方式
88.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。
89.需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
90.在本文中，空间相关的术语如“上部”和“下部”是参照附图定义的。因此，将理解“上部”和“下部”可互换地使用。将理解，当层被称为在另一个层“上”时，其可直接地形成在其他层上，或者也可存在中间层。因此，将理解，当层被称为是“直接在”另一个层“上”时，没有中间层插入在其中间。
91.在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。可以理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。另外，还可以理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，同样的附图标记始终表示同样的元件。
92.在下文中，尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件，但是这些组件不必须限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。还将理解的是，以单数形式使用的表达包含复数的表达，除非单数形式的表达在上下文中具有明显不同的含义。此外，在下面的实施例中，还将理解的是，这里使用的术语“包含”和/或“具有”说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
93.在下面的实施例中，当层、区域或元件被“连接”时，可以解释为所述层、区域或元件不仅被直接连接还通过置于其间的其他组成元件被连接。例如，当层、区域、元件等被描述为被连接或电连接时，所述层、区域、元件等不仅可以被直接连接或被直接电连接，还可以通过置于其间的另一层、区域、元件等被连接或被电连接。
94.申请文件中使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。当诸如
“……
中的至少一种(个)(者)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不是修饰该列中的个别元件(元素)。
95.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
96.还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
97.还应当理解的是，在解释元件时，尽管没有明确描述，但元件解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。
98.此外，在说明书中，短语“平面分布示意图”是指当从上方观察目标部分时的附图，短语“截面示意图”是指从侧面观察通过竖直地切割目标部分截取的剖面时的附图。
99.此外，附图并不是1：1的比例绘制，并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制，而不一定按照真实比例绘制。
100.相关技术中的oled显示面板在制备时，屏体、盖板、触控模组和偏光片一般单独来料，因此，需要采用有机胶将各部件层叠粘附，在粘附过程中，盖板与所贴合的部件之间易
产生气泡，气泡易使显示面板可靠性降低。同时，整个粘附过程比较繁琐、耗时，导致显示面板的制备效率较低。此外，由于采用有机胶粘附，导致各部件堆叠后的厚度较厚，不利于显示面板的轻薄化。
101.鉴于上述问题中的至少一个，本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，通过以盖板为显示面板的基板，将屏体(即：发光层组和阵列层组)直接做在盖板上。这样，一方面，在制备显示面板的过程中，无需将盖板和屏体进行贴合，不仅简化了制备工艺，提高了显示面板的制备效率，而且避免了盖板上的贴合气泡，提高了显示面板的可靠性；另一方面，相较于相关技术的显示面板，本技术中的盖板可以为屏体提供支撑，因此，可以去除相关技术的显示面板中的支撑层，从而降低显示面板的厚度，进而利于显示面板的轻薄化。
102.参照图1，并结合图5-图8所示，本技术实施例提供一种显示面板的制备方法，具体包括如下步骤：
103.s10：提供盖板11。盖板11可以是透明玻璃，盖板11具有一定的承载能力，能够承载各膜层，同时也能有效阻挡外界水汽侵入显示面板10。
104.s20：于盖板11上形成发光层组12。即：以盖板11为承载基板，在盖板11上制作发光层组12。在这里，需要说明的是，可以直接在盖板11上制作发光层组12，也可以间接在盖板11上制作发光层组12，即：盖板11上设置有中间膜层，在中间膜层上制作发光层组12。
105.s30：于发光层组12上形成阵列层组13。即：以盖板11为承载基板，发光层组12制作完成后，在发光层组12上制作阵列层组13。在这里，需要说明的是，可以直接在发光层组12上制作阵列层组13，也可以间接在发光层组12上制作阵列层组13，即：发光层组12远离盖板11的一侧设置有中间膜层，在中间膜层上制作阵列层组13。
106.本技术实施例提供的显示面板的制备方法，通过将盖板11作为显示面板10的基板，并在盖板11上形成发光层组12和阵列层组13，这样，一方面，在制备显示面板10的过程中，无需将盖板11和屏体17(即：发光层组12和阵列层组13的统称)进行贴合，从而免除了贴合工序，进而简化了制备工艺，提高了显示面板10的制备效率，而且避免了盖板11上的贴合气泡，提高了显示面板10的可靠性；另一方面，相较于相关技术的显示面板10，本技术中的盖板11可以为屏体17提供支撑，因此，可以去除传统显示面板10中的支撑层，从而降低显示面板10的厚度，进而利于显示面板10的轻薄化。
107.在其中一个实施例中，s10：提供盖板11的步骤之后，以及s20：于盖板11上形成发光层组12的步骤之前，包括：
108.s15：于盖板11上形成滤光层14。示例性的，滤光层14可以是彩膜。
109.这样，相当于在盖板11上制作滤光层14，从而无需将盖板11和滤光层14贴合，不仅简化了制备工艺，而且避免了盖板11上的贴合气泡，提高了显示面板10的可靠性。可以理解的是，滤光层14制作完成后，可以直接在滤光层14上形成发光层组12。
110.在其中一个实施例中，s10：提供盖板11的步骤之后，以及s20：于盖板11上形成发光层组12的步骤之前，包括：
111.s16：于盖板11上形成触控层15。
112.这样，相当于在盖板11上制作触控层15，从而无需将触控层15和屏体17贴合，不仅简化了制备工艺，而且可以去除触控层15和屏体17之间的粘接层，有利于降低显示面板10
的厚度。
113.在本技术实施例中，制作触控层15的工序在制作滤光层14的工序之后，即：在盖板11上制作滤光层14，在滤光层14上制作触控层15，在触控层15上制作发光层组12。可以理解的是，制作触控层15的工序还可以在制作滤光层14的工序之前，即：在盖板11上制作触控层15，在触控层15上制作滤光层14，在滤光层14上制作发光层组12。本技术实施例对触控层15和滤光层14的制作工艺顺序并不限定。
114.在一个示例中，触控层15可以包括层叠设置的主电极和辅助电极，其中主电极包括多个发射电极和多个接收电极，各发射电极包括沿列方向依次排布的多个子发射电极。各发射电极沿行方向间隔排布。各接收电极包括沿行方向依次排布的多个子接收电极。各接收电极沿列方向间隔排布。辅助电极可以是导电桥，导电桥用于连接相邻的发射子电极或接收子电极。
115.在其中一个实施例中，参照图2所示，s20：于盖板11上形成发光层组12的步骤，包括：
116.s201：于盖板11上形成发光器件121。具体地，可以在触控层15上形成发光器件121。
117.s202：于发光器件121上形成封装层122。可以理解的是，封装层122包括至少一层无机层和至少一层有机层。在一个示例中，封装层122包括第一有机层、无机层和第二有机层，无机层设于第一有机层和第二有机层之间。
118.这样，先在盖板11上制作发光器件121，再制作封装层122，可以最大程度减少水汽和氧对发光器件121的侵蚀，保证了发光器件121的使用寿命。
119.在其中一个实施例中，结合图18-图25所示，s201：于盖板11上形成发光器件121的步骤，包括：
120.s2011：于盖板11上形成光取出层124。具体地，可以采用蒸镀工艺在触控层15上制作光取出层124。
121.s2012：于光取出层124上形成阴极1211。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或蒸镀工艺制作阴极1211。
122.s2014：于阴极1211上形成发光功能层1212。
123.s2015：于发光功能层1212上形成阳极1213。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或蒸镀工艺制作阳极1213。
124.具体地，s2014：于阴极1211上形成发光功能层1212的步骤，具体包括：
125.s20141：于阴极1211上形成电子注入层12121。具体地，可以通过蒸镀工艺制作电子注入层12121。
126.s20142：于电子注入层12121上形成电子传输层12122。具体地，可以通过蒸镀工艺制作电子传输层12122。
127.s20143：于电子传输层12122上形成空穴阻挡层12123。具体地，可以通过蒸镀工艺制作空穴阻挡层12123。
128.s20144：于空穴阻挡层12123上形成发光层12124。具体地，可以通过蒸镀工艺制作
发光层12124。
129.s20145：于发光层12124上形成空穴传输层12125。具体地，可以通过蒸镀工艺制作空穴传输层12125。
130.s20146：于空穴传输层12125上形成空穴注入层12126。具体地，可以通过蒸镀工艺制作空穴注入层12126。
131.在其中一个实施例中，s2012：于光取出层124上形成阴极1211的步骤之后，s2014：于阴极1211上形成发光功能层1212的步骤之前，具体包括如下步骤：
132.s2013：于阴极1211上形成像素限定层。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或蒸镀工艺制作像素限定层，并通过刻蚀在像素限定层上形成像素开口，发光层位于像素开口内。
133.在一个实施例中，s2011：于盖板11上形成光取出层124的步骤之前，包括：
134.s2010：于盖板11上形成第四绝缘层123。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或蒸镀工艺在触控层15上形成第四绝缘层123。通过设置第四绝缘层123，可以防止触控层15与阴极1211相互电性干扰，导致短路。
135.在其中一个实施例中，s30：于发光层组12上形成阵列层组13的步骤之后，包括：
136.s40：于阵列层组13上形成复合层16。具体地，复合层16可包括沿远离盖板11方向层叠设置的泡棉、聚酰亚胺和铜箔。在一个示例中，首先在阵列层组13上制作泡棉，然后在泡棉上涂布聚酰亚胺，最后在聚酰亚胺上形成铜箔。
137.可以理解的是，通过在阵列层组13上形成复合层16，一方面可以对阵列层组13形成保护作用，另一方面可以对阵列层组13进行散热和支撑。
138.在另一个示例中，还可以将复合层16直接粘附在阵列层组13上。
139.需要说明的是，在粘附复合层16的步骤之前，还可以包括涂胶、绑定、ic封胶、划线、切割等工序。上述工序与相关技术显示面板的后续工序相同，本技术实施例在此不在赘述。
140.在其中一个实施例中，参照图3所示，s30：于发光层组12上形成阵列层组13的步骤，包括：
141.s301：于发光层组12上形成阵列衬底131。具体地，在封装层122上形成阵列衬底131。
142.s302：于阵列衬底131上形成阵列膜层132。
143.这样，通过设置阵列衬底131，一方面可以起到绝缘和支撑作用，另一方面可以防止阵列膜层132中的热量传递至发光层组12，影响发光层组12的效果。
144.在其中一个实施例中，参照图4所示，s301：于发光层组12上形成阵列衬底131的步骤，具体包括：
145.s3011：于发光层组12上形成氮化硅层1311。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)或物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺形成氮化硅层1311。
146.s3012：于氮化硅层1311上形成半导体层1312。示例性的，半导体层1312的材质可以是非晶硅。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)或物理气
相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺形成半导体层1312。
147.s3013：于半导体层1312上形成氧化层1313。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)或物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺形成氧化层1313。
148.在其中一个实施例中，s302：于阵列衬底131上形成阵列膜层132的步骤，具体包括：
149.s3021：于阵列衬底131上形成第一金属层13201。示例性的，第一金属层13201可以是阳极引线。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或蒸镀工艺形成第一金属层13201。
150.s3022：于第一金属层13201上形成第一平坦化层13202。第一平坦化层13202可以通过有机材料制作而成。第一平坦化层13202可以防止薄膜晶体管与发光器件121的电磁干扰。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)或物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺形成第一平坦化层13202。
151.s3023：于第一平坦化层13202上形成驱动电路层。
152.在其中一个实施例中，s3023：于第一平坦化层13202上形成驱动电路层的步骤，具体包括：
153.s30231：于第一平坦化层13202上形成第二金属层13203。第二金属层13203可以是网格状的金属走线。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或蒸镀工艺形成第二金属层13203。
154.s30232：于第二金属层13203上形成第二平坦化层13204。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)或物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺形成第二平坦化层13204。
155.s30233：于第二平坦化层13204上形成第一绝缘层13205。第二平坦化层13204和第一绝缘层13205均可以起绝缘作用。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)或物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺形成第一绝缘层13205。
156.s30234：于第一绝缘层13205上形成第三金属层13206。第三金属层13206可以是源漏极走线。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或蒸镀工艺形成第三金属层13206。
157.s30235：于第三金属层13206上形成第二绝缘层13207。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)或物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺形成第二绝缘层13207。
158.s30236：于第二绝缘层13207上形成第四金属层13208。第四金属层13208可以是电容上极板、em电路。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或蒸镀工艺形成第四金属层13208。
159.s30237：于第四金属层13208上形成介质层13209。介质层13209可以是电容介质。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)或物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺形成介质层13209。
160.s30238：于介质层13209上形成第五金属层13210。第五金属层13210可以是电容下
极板。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或蒸镀工艺形成第五金属层13210。
161.s30239：于第五金属层13210上形成第三绝缘层13211。第三绝缘层13211可以是栅极绝缘层。具体地，可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)或物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺形成第三绝缘层13211。
162.需要说明的是，本技术实施例通过采用与常规的阵列工艺相反的阵列工艺，从而实现在盖板11上制作显示面板10。在这里，“相反的阵列工艺”指阵列膜层132制备工艺中工序的顺序相反。
163.请参照图9-图15所示，本技术实施例以显示面板10中的像素限定层182为例说明如何在盖板11上制备膜层结构。首先，清洗盖板11。其次，采用物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)工艺在盖板11上形成像素限定材料层181。接着，在像素限定材料层181上涂布光刻胶19。再接着，借助掩膜板20对光刻胶19进行曝光。再接着，对光刻胶19进行显影。再接着，采用干法或湿法刻蚀工艺对像素限定材料层181进行刻蚀，从而形成像素限定层182。最后，去除光刻胶19。
164.需要说明的是，本技术实施例所提供的显示面板10可以是顶发光式或底发光式，本技术实施例以顶发光为例进行的说明。
165.可以理解的是，在制备显示面板10时，盖板11可以是单片。参照图16所示，也可以在大盖板上制备显示面板10，工艺完成后采用激光切割成型，然后对各盖板11边缘进行打磨抛光。参照图17所示，也可以将各盖板11进行连片后统一进行阵列工艺和蒸镀工艺。
166.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，附图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
167.第二方面，参照图5所示，本技术实施例还提供一种显示面板10，该显示面板10包括盖板11以及层叠设置于盖板11上的发光层组12和阵列层组13，发光层组12位于盖板11与阵列层组13之间。盖板11被配置为显示面板10的基板。
168.本技术实施例提供的显示面板10，通过将盖板11作为显示面板10的基板，并在盖板11上形成发光层组12和阵列层组13，这样，一方面，在制备显示面板10的过程中，无需将盖板11和屏体17(即：发光层组12和阵列层组13的统称)进行贴合，从而免除了贴合工序，进而简化了制备工艺，提高了显示面板10的制备效率，而且避免了盖板11上的贴合气泡，提高了显示面板10的可靠性；另一方面，相较于相关技术的显示面板10，本技术中的盖板11可以为屏体17提供支撑，因此，可以去除传统显示面板10中的支撑层，从而降低显示面板10的厚度，进而利于显示面板10的轻薄化。此外，由于屏体17与盖板11二合一，因此，本技术实施例提供的显示面板10不易发生剥离(peeling)。
169.在其中一个实施例中，显示面板10还包括复合层16，复合层16设置于阵列层组13背离盖板11的一侧。在一个示例中，复合层16可包括层叠设置的泡棉、聚酰亚胺和铜箔。其中，泡棉可以起缓冲作用，聚酰亚胺可以起支撑作用，铜箔可以起屏蔽和导热的作用。
170.在其中一个实施例中，显示面板10还包括滤光层14，滤光层14设于盖板11与发光层组12之间。示例性的，滤光层14可以是彩膜。
171.在其中一个实施例中，显示面板10还包括触控层15，触控层15设于滤光层14与发光层组12之间。这样，相当于将屏体17、触控层15、滤光层14和盖板11合为一体，使显示面板10不易发生peeling。
172.在其中一个实施例中，发光层组12包括层叠设置的发光器件121和封装层122，至少部分封装层122位于发光器件121背离盖板11的一侧。可以理解的是，封装层122中设置有过孔，发光器件121通过过孔与阵列层组13电连接。示例性的，发光器件121可包括阴极1211、发光功能层1212和阳极1213，进一步地，发光功能层1212包括沿远离盖板11方向层叠设置的电子注入层12121、电子传输层12122、空穴阻挡层12123、发光层12124、空穴传输层12125、空穴注入层12126。进一步地，显示面板10还包括光取出层124，光取出层124设置于盖板11和阴极1211之间。
173.在其中一个实施例中，阵列层组13包括层叠设置的阵列衬底131和阵列膜层132，阵列衬底131设于阵列膜层132和发光层组12之间。在一个示例中，阵列衬底131包括层叠设置的氮化硅层1311、半导体层1312和氧化层1313。在一个示例中，阵列膜层132包括沿远离盖板11方向层叠设置的第一金属层13201、第一平坦化层13202和驱动电路层。进一步地，驱动电路层包括沿远离盖板11方向层叠设置的第二金属层13203、第二平坦化层13204、第一绝缘层13205、第三金属层13206、第二绝缘层13207、第四金属层13208、介质层13209、第五金属层13210和第三绝缘层13211。
174.第三方面，参照图26所示，本技术实施例提供一种显示装置1，该显示装置1包括第二方面中任一实施例中的显示面板10。
175.该显示装置1可以为笔记本电脑、移动电话、无线装置、个人数据助理(personal digital assistant，pda)、手持式或便携式计算机、gps接收器/导航器、相机、mp4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪等。
176.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
177.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。