技术编号：35756873
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于三维存储器设备的双重牺牲材料替换工艺和由其形成的结构.相关申请.本申请要求年月日提交的美国非临时申请/,号的优先权的权益，该美国非临时申请的全部内容以引用方式并入本文。技术领域.本公开大体上涉及半导体器件领域，具体地，涉及一种用于形成三维存储器设备的字线的双重牺牲材料替换工艺和由其形成的结构。背景技术.每个单元具有一个位的三维竖直nand串在t.endoh等人的标题为“novel ultra high density memory with a stac...
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