技术编号：35696861
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种多沟道氧化镓太赫兹耿氏二极管器件及其制备方法。背景技术.随着无线通信技术的不断发展，人们对高频段需求不断提升，太赫兹技术应运而生；太赫兹波(thz)是一种频率在.～thz之间的电磁波，与微波技术相比，具有更高的分辨率，与光波技术相比，具有更低的能量和更好的穿透能力。电子转移器件(又称耿氏二极管)被认为是一种极具潜力的太赫兹信号源发生器件，耿氏二极管主要是利用半导体中电子在导带中从主能谷转移到子能谷而产生负微分效应而制成的实用性器件。.用来制作...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。